Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Всего товаров: 379
CMXDM7002A BK PBFREE
- cmxdm7002a.bk.pbfree
- Central Semiconductor Corp
- Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NX138AKSF
- nx138aksf
- Nexperia USA Inc.
- Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 170MA SOT363
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EFC6618R-A-TF
- efc6618r.a.tf
- onsemi
- Транзистор: MOSFET 2N-CH EFCP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJT7872B_R1_00001
- pjt7872b.r1.00001
- Panjit International Inc.
- Транзистор: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMFTN620KDW-AQ
- mmftn620kdw.aq
- DIOTEC SEMICONDUCTOR
- Транзистор: MOSFET, 60V, 0.35A, N, 0.2W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ992EP-T1_BE3
- sqj992ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ992EP-T2_GE3
- sqj992ep.t2.ge3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFD5C470NT1G
- nvmfd5c470nt1g
- onsemi
- Транзистор: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFD6H846NLWFT1G
- nvmfd6h846nlwft1g
- onsemi
- Транзистор: MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJT7808_R1_00001
- pjt7808.r1.00001
- Panjit International Inc.
- Транзистор: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJT7828_R1_00001
- pjt7828.r1.00001
- Panjit International Inc.
- Транзистор: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002DWK-7
- 2n7002dwk.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: 2N7002 FAMILY SOT363 T&R 3K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMPH6050SSDQ-13
- dmph6050ssdq.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3016LDN-13
- dmn3016ldn.13
- Diodes Incorporated, DIODES [Diodes Incorporated]
- Транзистор: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP2040USD-13
- dmp2040usd.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJX8828_R1_00001
- pjx8828.r1.00001
- Panjit International Inc.
- Транзистор: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJX8808_R1_00001
- pjx8808.r1.00001
- Panjit International Inc.
- Транзистор: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJX8839_R1_00001
- pjx8839.r1.00001
- Panjit International Inc.
- Транзистор: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP2200UFCL-7
- dmp2200ufcl.7
- Diodes Incorporated, DIODES [Diodes Incorporated]
- Транзистор: MOSFET 8V~24V U-DFN1616-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FF6MR12KM1PHOSA1
- ff6mr12km1phosa1
- INFINEON
- Транзистор: MEDIUM POWER 62MM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Массивы полевых транзисторов (FETs) и металл-оксидных полевых транзисторов (MOSFETs) представляют собой интегрированные схемы, содержащие несколько FET или MOSFET транзисторов в одном корпусе. Эти массивы обеспечивают улучшенное управление мощностью и сигналом в различных приложениях, позволяя одновременное управление несколькими каналами.
Ключевые характеристики массивов FETs и MOSFETs включают:
- максимальное напряжение сток-исток (Vds). Максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком и истоком транзисторов;
- максимальный ток стока (Id). Максимальный ток, который может протекать через сток каждого транзистора в массиве;
- пороговое напряжение (Vgs(th)). Напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить;
- сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)). Сопротивление между стоком и истоком при полностью открытом транзисторе.
Применение массивов FETs и MOSFETs
Массивы FET (полевых транзисторов) и MOSFET (металл-оксид-полупроводниковых полевых транзисторов) обеспечивают эффективное управление и переключение в разнообразных электронных системах. В области управления мощностью эти компоненты используются для контроля мощных нагрузок, что важно в системах питания и управления освещением, где они позволяют регулировать и распределять мощность эффективно и надежно.
В цифровой логике массивы FETs и MOSFETs служат переключателями, обеспечивая основу для работы логических схем и интерфейсов, позволяя строить сложные логические структуры и обеспечивая высокую скорость и надежность работы цифровых устройств. Для управления моторами и реле эти транзисторы предоставляют возможность управления несколькими устройствами одновременно, что критически важно в различных устройствах и промышленных системах, где требуется точное и надежное управление механическими компонентами.
Интеграция и использование
При интеграции массивов FETs и MOSFETs в электронные устройства важно учитывать их рабочие характеристики и требования к управлению. Необходимо обеспечить соответствующее управляющее напряжение и ток для надежного включения и выключения транзисторов в массиве. Также следует учитывать тепловое управление, особенно в приложениях с высокой мощностью, для предотвращения перегрева и повышения надежности и долговечности устройства.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК