Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Всего товаров: 379
DMTH6016LPDQ-13
- dmth6016lpdq.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FF1MR12KM1H
- ff1mr12km1h
- Infineon Technologies
- Транзистор: MEDIUM POWER 62MM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJB04ELP-T1_GE3
- sqjb04elp.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMGD7N45SSD-13
- dmgd7n45ssd.13
- Diodes Incorporated, DIODES [Diodes Incorporated]
- Транзистор: MOSFET 2NCH 450V 500MA 8SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FF4MR12KM1HP
- ff4mr12km1hp
- Infineon Technologies
- Транзистор: MEDIUM POWER 62MM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS8402DWQ-13
- bss8402dwq.13
- DIODES INCORPORATED, Diodes
- Транзистор: BSS FAMILY SOT363 T&R 10K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVJD5121NT1G-M06
- nvjd5121nt1g.m06
- onsemi
- Транзистор: NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FS03MR12A6MA1LBBPSA1
- fs03mr12a6ma1lbbpsa1
- Infineon Technologies
- Транзистор: HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFD5C466NT1G
- nvmfd5c466nt1g
- onsemi
- Транзистор: 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN4R8-100BSE,118
- psmn4r8.100bse.118
- Nexperia USA Inc.
- N CHANNEL 100V 4.8 MOHM STANDAR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G4616
- g4616
- Goford Semiconductor
- Транзистор: N+P/-40V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6926ADQ-T1-BE3
- si6926adq.t1.be3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2053UVT-7
- dmn2053uvt.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMT6018LDR-7
- dmt6018ldr.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EM6J1T2CR
- em6j1t2cr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 20V EMT6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RZM001P02T2CL
- rzm001p02t2cl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 20V EMT6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2053UVT-13
- dmn2053uvt.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIL2322A-TP
- sil2322a.tp
- Micro Commercial Co
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT23-6L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN5L06DWK-7-01
- dmn5l06dwk.7.01
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8K24HZGTB
- sp8k24hzgtb
- Rohm Semiconductor
- Транзистор: 45V NCH+NCH POWER MOSFET. SP8K24
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Массивы полевых транзисторов (FETs) и металл-оксидных полевых транзисторов (MOSFETs) представляют собой интегрированные схемы, содержащие несколько FET или MOSFET транзисторов в одном корпусе. Эти массивы обеспечивают улучшенное управление мощностью и сигналом в различных приложениях, позволяя одновременное управление несколькими каналами.
Ключевые характеристики массивов FETs и MOSFETs включают:
- максимальное напряжение сток-исток (Vds). Максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком и истоком транзисторов;
- максимальный ток стока (Id). Максимальный ток, который может протекать через сток каждого транзистора в массиве;
- пороговое напряжение (Vgs(th)). Напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить;
- сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)). Сопротивление между стоком и истоком при полностью открытом транзисторе.
Применение массивов FETs и MOSFETs
Массивы FET (полевых транзисторов) и MOSFET (металл-оксид-полупроводниковых полевых транзисторов) обеспечивают эффективное управление и переключение в разнообразных электронных системах. В области управления мощностью эти компоненты используются для контроля мощных нагрузок, что важно в системах питания и управления освещением, где они позволяют регулировать и распределять мощность эффективно и надежно.
В цифровой логике массивы FETs и MOSFETs служат переключателями, обеспечивая основу для работы логических схем и интерфейсов, позволяя строить сложные логические структуры и обеспечивая высокую скорость и надежность работы цифровых устройств. Для управления моторами и реле эти транзисторы предоставляют возможность управления несколькими устройствами одновременно, что критически важно в различных устройствах и промышленных системах, где требуется точное и надежное управление механическими компонентами.
Интеграция и использование
При интеграции массивов FETs и MOSFETs в электронные устройства важно учитывать их рабочие характеристики и требования к управлению. Необходимо обеспечить соответствующее управляющее напряжение и ток для надежного включения и выключения транзисторов в массиве. Также следует учитывать тепловое управление, особенно в приложениях с высокой мощностью, для предотвращения перегрева и повышения надежности и долговечности устройства.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК