Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Всего товаров: 379
PJS6816_S1_00001
- pjs6816.s1.00001
- Panjit International Inc.
- Транзистор: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMC083NP10M5L
- ntmc083np10m5l
- onsemi
- Транзистор: NTMC083NP10M5L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TQM110NB04DCR RLG
- tqm110nb04dcr.rlg
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Транзистор: 40V, 50A, DUAL N-CHANNEL POWER M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CAB011M12FM3
- cab011m12fm3
- Wolfspeed, Inc.
- Транзистор: 1200V SIC H-BRIDGE MODULE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIL2623A-TP
- sil2623a.tp
- Micro Commercial Co
- Транзистор: MOSFET P-CH SOT23
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMDPB30XNZ
- pmdpb30xnz
- Nexperia USA Inc.
- Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6HUSON
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6562CDQ-T1-BE3
- si6562cdq.t1.be3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD1155LT2G
- ntjd1155lt2g
- onsemi
- Транзистор: MOSFET N/P-CH SC-88-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EFC6617R-TF
- efc6617r.tf
- onsemi
- MOSFET 2N-CH EFCP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG1026UVQ-7
- dmg1026uvq.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC2053UVT-7
- dmc2053uvt.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3439KDWA-TP
- si3439kdwa.tp
- MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
- Транзистор: DUAL N+P CHANNEL MOSFET,SOT-363
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AO4840E
- ao4840e
- Alpha & Omega Semiconductor Inc., Alpha & Omega Semiconductor
- Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 40V 6A 8SOIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJL9854_R2_00001
- pjl9854.r2.00001
- Panjit International Inc.
- Транзистор: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CSD86356Q5D
- csd86356q5d
- Texas Instruments
- Транзистор: 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJB00EP-T1_BE3
- sqjb00ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMHC4035LSDQ-13
- dmhc4035lsdq.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN21D1UDA-7B
- dmn21d1uda.7b
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G33N03D3
- g33n03d3
- Goford Semiconductor
- Транзистор: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CAB016M12FM3
- cab016m12fm3
- Wolfspeed, Inc.
- Транзистор: MOSFET 2 N-CH 1.2KV 78A MODULE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Массивы полевых транзисторов (FETs) и металл-оксидных полевых транзисторов (MOSFETs) представляют собой интегрированные схемы, содержащие несколько FET или MOSFET транзисторов в одном корпусе. Эти массивы обеспечивают улучшенное управление мощностью и сигналом в различных приложениях, позволяя одновременное управление несколькими каналами.
Ключевые характеристики массивов FETs и MOSFETs включают:
- максимальное напряжение сток-исток (Vds). Максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком и истоком транзисторов;
- максимальный ток стока (Id). Максимальный ток, который может протекать через сток каждого транзистора в массиве;
- пороговое напряжение (Vgs(th)). Напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить;
- сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)). Сопротивление между стоком и истоком при полностью открытом транзисторе.
Применение массивов FETs и MOSFETs
Массивы FET (полевых транзисторов) и MOSFET (металл-оксид-полупроводниковых полевых транзисторов) обеспечивают эффективное управление и переключение в разнообразных электронных системах. В области управления мощностью эти компоненты используются для контроля мощных нагрузок, что важно в системах питания и управления освещением, где они позволяют регулировать и распределять мощность эффективно и надежно.
В цифровой логике массивы FETs и MOSFETs служат переключателями, обеспечивая основу для работы логических схем и интерфейсов, позволяя строить сложные логические структуры и обеспечивая высокую скорость и надежность работы цифровых устройств. Для управления моторами и реле эти транзисторы предоставляют возможность управления несколькими устройствами одновременно, что критически важно в различных устройствах и промышленных системах, где требуется точное и надежное управление механическими компонентами.
Интеграция и использование
При интеграции массивов FETs и MOSFETs в электронные устройства важно учитывать их рабочие характеристики и требования к управлению. Необходимо обеспечить соответствующее управляющее напряжение и ток для надежного включения и выключения транзисторов в массиве. Также следует учитывать тепловое управление, особенно в приложениях с высокой мощностью, для предотвращения перегрева и повышения надежности и долговечности устройства.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК