Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Всего товаров: 379
DMC2710UDW-7
- dmc2710udw.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AOD607A
- aod607a
- ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, Alpha & Omega Semiconductor
- Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8A/12A TO252-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6561AN-NB5S007A
- fdc6561an.nb5s007a
- onsemi
- Транзистор: FET 30V 95.0 MOHM SSOT6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC6040SSDQ-13
- dmc6040ssdq.13
- Diodes Incorporated, DIODES [Diodes Incorporated]
- Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SP8M31HZGTB
- sp8m31hzgtb
- Rohm Semiconductor
- Транзистор: 60V DUAL NCH+PCH AUTOMOTIVE POWE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SH8MB5TB1
- sh8mb5tb1
- Rohm Semiconductor
- Транзистор: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP2075UFDB-13
- dmp2075ufdb.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET P-CH 20V 6UDFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSM6N813R,LXHF
- ssm6n813r.lxhf
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Транзистор: AUTO AEC-Q SS MOS DUAL N-CH LOW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJX138K_R1_00001
- pjx138k.r1.00001
- PanJit Semiconductor
- Транзистор: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIZ254DT-T1-GE3
- siz254dt.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002KDW-AU_R1_000A1
- 2n7002kdw.au.r1.000a1
- PanJit Semiconductor
- Транзистор: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NX6008NBKSX
- nx6008nbksx
- Nexperia USA Inc.
- Транзистор: NX6008NBKS/SOT363/SC-88
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJB60EP-T1_BE3
- sqjb60ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ951EP-T1_BE3
- sqj951ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJB68EP-T1_BE3
- sqjb68ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G20N06D52
- g20n06d52
- Goford Semiconductor
- Транзистор: N60V,RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP16N06QLK-E1-AY
- np16n06qlk.e1.ay
- Renesas Electronics Corporation
- Транзистор: POWER TRANSISTOR AUTOMOTIVE MOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSM6L820R,LXHF
- ssm6l820r.lxhf
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Транзистор: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH + P-CH LO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AOCA24108E
- aoca24108e
- Alpha & Omega Semiconductor Inc., Alpha & Omega Semiconductor
- Транзистор: MOSFET LV N-CH DFN 1.79X1.18
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NXH010P120MNF1PNG
- nxh010p120mnf1png
- onsemi
- Транзистор: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Массивы полевых транзисторов (FETs) и металл-оксидных полевых транзисторов (MOSFETs) представляют собой интегрированные схемы, содержащие несколько FET или MOSFET транзисторов в одном корпусе. Эти массивы обеспечивают улучшенное управление мощностью и сигналом в различных приложениях, позволяя одновременное управление несколькими каналами.
Ключевые характеристики массивов FETs и MOSFETs включают:
- максимальное напряжение сток-исток (Vds). Максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком и истоком транзисторов;
- максимальный ток стока (Id). Максимальный ток, который может протекать через сток каждого транзистора в массиве;
- пороговое напряжение (Vgs(th)). Напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить;
- сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)). Сопротивление между стоком и истоком при полностью открытом транзисторе.
Применение массивов FETs и MOSFETs
Массивы FET (полевых транзисторов) и MOSFET (металл-оксид-полупроводниковых полевых транзисторов) обеспечивают эффективное управление и переключение в разнообразных электронных системах. В области управления мощностью эти компоненты используются для контроля мощных нагрузок, что важно в системах питания и управления освещением, где они позволяют регулировать и распределять мощность эффективно и надежно.
В цифровой логике массивы FETs и MOSFETs служат переключателями, обеспечивая основу для работы логических схем и интерфейсов, позволяя строить сложные логические структуры и обеспечивая высокую скорость и надежность работы цифровых устройств. Для управления моторами и реле эти транзисторы предоставляют возможность управления несколькими устройствами одновременно, что критически важно в различных устройствах и промышленных системах, где требуется точное и надежное управление механическими компонентами.
Интеграция и использование
При интеграции массивов FETs и MOSFETs в электронные устройства важно учитывать их рабочие характеристики и требования к управлению. Необходимо обеспечить соответствующее управляющее напряжение и ток для надежного включения и выключения транзисторов в массиве. Также следует учитывать тепловое управление, особенно в приложениях с высокой мощностью, для предотвращения перегрева и повышения надежности и долговечности устройства.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК