Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Всего товаров: 379
SQ3985EV-T1_GE3
- sq3985ev.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GT090N06D52
- gt090n06d52
- Goford Semiconductor
- Транзистор: N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFD5C668NLWFT1G
- nvmfd5c668nlwft1g
- onsemi
- Транзистор: T6 60V S08FL DUAL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3032LFDBQ-13
- dmn3032lfdbq.13
- Diodes Inc (DII), DIODES [Diodes Incorporated]
- Транзистор: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMD8440L
- fdmd8440l
- onsemi
- Транзистор: FET ENGR DEV-NOT REL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF1404PBF-EL
- irf1404pbf.el
- International Rectifier
- HEXFET POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG6602SVTX-7
- dmg6602svtx.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC3071LVT-7
- dmc3071lvt.7
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIL3724A-TP
- sil3724a.tp
- Micro Commercial Co
- Транзистор: MOSFET N/P-CH SOT23
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIZF906BDT-T1-GE3
- sizf906bdt.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG1016UDWQ-7
- dmg1016udwq.7
- Diodes Incorporated, DIODES [Diodes Incorporated]
- Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ974EP-T1_BE3
- sqj974ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJB80EP-T1_BE3
- sqjb80ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMTH6016LSD-13
- dmth6016lsd.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP22D5UDJ
- dmp22d5udj
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V SOT963
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJT7839_R1_00001
- pjt7839.r1.00001
- Panjit International Inc.
- Транзистор: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EFC2K102NUZTDG
- efc2k102nuztdg
- onsemi
- Транзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC4040SSDQ-13
- dmc4040ssdq.13
- Diodes Incorporated
- Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SH8KC7TB1
- sh8kc7tb1
- Rohm Semiconductor
- Транзистор: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002KDW_R1_00001
- 2n7002kdw.r1.00001
- Panjit International Inc.
- Транзистор: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Массивы полевых транзисторов (FETs) и металл-оксидных полевых транзисторов (MOSFETs) представляют собой интегрированные схемы, содержащие несколько FET или MOSFET транзисторов в одном корпусе. Эти массивы обеспечивают улучшенное управление мощностью и сигналом в различных приложениях, позволяя одновременное управление несколькими каналами.
Ключевые характеристики массивов FETs и MOSFETs включают:
- максимальное напряжение сток-исток (Vds). Максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком и истоком транзисторов;
- максимальный ток стока (Id). Максимальный ток, который может протекать через сток каждого транзистора в массиве;
- пороговое напряжение (Vgs(th)). Напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить;
- сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)). Сопротивление между стоком и истоком при полностью открытом транзисторе.
Применение массивов FETs и MOSFETs
Массивы FET (полевых транзисторов) и MOSFET (металл-оксид-полупроводниковых полевых транзисторов) обеспечивают эффективное управление и переключение в разнообразных электронных системах. В области управления мощностью эти компоненты используются для контроля мощных нагрузок, что важно в системах питания и управления освещением, где они позволяют регулировать и распределять мощность эффективно и надежно.
В цифровой логике массивы FETs и MOSFETs служат переключателями, обеспечивая основу для работы логических схем и интерфейсов, позволяя строить сложные логические структуры и обеспечивая высокую скорость и надежность работы цифровых устройств. Для управления моторами и реле эти транзисторы предоставляют возможность управления несколькими устройствами одновременно, что критически важно в различных устройствах и промышленных системах, где требуется точное и надежное управление механическими компонентами.
Интеграция и использование
При интеграции массивов FETs и MOSFETs в электронные устройства важно учитывать их рабочие характеристики и требования к управлению. Необходимо обеспечить соответствующее управляющее напряжение и ток для надежного включения и выключения транзисторов в массиве. Также следует учитывать тепловое управление, особенно в приложениях с высокой мощностью, для предотвращения перегрева и повышения надежности и долговечности устройства.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК