Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
AOTF290L
- aotf290l
- Alpha & Omega Semiconductor Inc., Alpha & Omega Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 72A TO220F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFWS0D5N04XMT1G
- nvmfws0d5n04xmt1g
- onsemi
- 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA20N65X-TRL
- ixta20n65x.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TJ90S04M3L,LQ
- tj90s04m3l.lq
- Toshiba Semiconductor and Storage
- PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G29
- g29
- Goford Semiconductor
- P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA10N80P-TRL
- ixfa10n80p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 10A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GC20N65T
- gc20n65t
- Goford Semiconductor
- N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA1N120P-TRL
- ixta1n120p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10050LVRG
- apt10050lvrg
- MICROCHIP (MICROSEMI), Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10050JVFR
- apt10050jvfr
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 19A ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ4460AP-AU_R2_000A1
- pjq4460ap.au.r2.000a1
- Panjit International Inc.
- 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS5C404NWFAFT3G
- nvmfs5c404nwfaft3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS5C404NAFT3G
- nvmfs5c404naft3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS5C404NT3G
- ntmfs5c404nt3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW90R500C3XKSA1
- ipw90r500c3xksa1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
R6576ENZ4C13
- r6576enz4c13
- Rohm Semiconductor
- 650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUZ30N08S5N186ATMA1
- iauz30n08s5n186atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW70N65DM6-4
- stw70n65dm6.4
- STMICROELECTRONICS
- MOSFET N-CH 650V 68A TO247-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCH165N65S3R0-F155
- fch165n65s3r0.f155
- onsemi
- MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GT095N10K
- gt095n10k
- Goford Semiconductor
- N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК