Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
IXTA220N04T2-TRL
- ixta220n04t2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 40V 220A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT80N65X2HV-TRL
- ixft80n65x2hv.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY32P05T-TRL
- ixty32p05t.trl
- IXYS
- MOSFET P-CH 50V 32A TO252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJD9N10A_L2_00001
- pjd9n10a.l2.00001
- Panjit International Inc.
- 100V N-CHANNEL MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJW7N06A-AU_R2_000A1
- pjw7n06a.au.r2.000a1
- Panjit International Inc.
- 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJD35P03_L2_00001
- pjd35p03.l2.00001
- PanJit Semiconductor
- 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G15N06K
- g15n06k
- Goford Semiconductor
- N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ5411_R2_00001
- pjq5411.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSJPF11N65-BP
- msjpf11n65.bp
- Micro Commercial Co
- MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW80R290C3AXKSA1
- ipw80r290c3axksa1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AON7410_106
- aon7410.106
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- MOSFET N-CH 30V 9.5A/24A 8DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA4N80P-TRL
- ixta4n80p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G65P06T
- g65p06t
- Goford Semiconductor
- P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT80N65X2HV
- ixft80n65x2hv
- Littelfuse Inc., IXYS [IXYS Corporation]
- MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA130N15X3TRL
- ixfa130n15x3trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 130A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCH47N60-F133
- fch47n60.f133
- onsemi, FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor], FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
- MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STWA75N65DM6
- stwa75n65dm6
- STMicroelectronics
- N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA14N60P-TRL
- ixfa14n60p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M12080K3
- p3m12080k3
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPT063N15N5ATMA1
- ipt063n15n5atma1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК