Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
PMX400UPZ
- pmx400upz
- Nexperia
- PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVLJS053N12MCLTAG
- nvljs053n12mcltag
- onsemi
- PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M12040K4
- p3m12040k4
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1200V 63A TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M12160K3
- p3m12160k3
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SCTWA35N65G2VAG
- sctwa35n65g2vag
- STMicroelectronics
- SICFET N-CH 650V 45A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4151DY-T1-GE3
- si4151dy.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA22N65X2-TRL
- ixfa22n65x2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB45N06S4L08ATMA3
- ipb45n06s4l08atma3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP2110UQ-7
- dmp2110uq.7
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP2110UQ-13
- dmp2110uq.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJD18N20_L2_00001
- pjd18n20.l2.00001
- Panjit International Inc.
- 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M12080K4
- p3m12080k4
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TSM056NH04CR RLG
- tsm056nh04cr.rlg
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M12040K3
- p3m12040k3
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1200V 63A TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M06060K4
- p3m06060k4
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 650V 48A TO247-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M06060K3
- p3m06060k3
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 650V 48A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M06060G7
- p3m06060g7
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AON6162
- aon6162
- Alpha & Omega Semiconductor Inc., Alpha & Omega Semiconductor
- MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPDQ60R022S7XTMA1
- ipdq60r022s7xtma1
- Infineon Technologies
- HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AOTF292L
- aotf292l
- ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, Alpha & Omega Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 70A TO220F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК