Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
APT5010JVFR
- apt5010jvfr
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 44A ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1APT5010JLL
- apt5010jll
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 41A ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1APT5010JVR
- apt5010jvr
- MICROCHIP (MICROSEMI), Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 44A ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SIPC69SN60C3X2SA2
- sipc69sn60c3x2sa2
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BUK9E1R8-40E,127
- buk9e1r8.40e.127
- NXP USA Inc., NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NTHL019N60S5F
- nthl019n60s5f
- onsemi
- SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NVMFS5C612NLAFT3G
- nvmfs5c612nlaft3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMP2035UQ-7
- dmp2035uq.7
- Diodes Incorporated, TYSEMI [TY Semiconductor Co., Ltd]
- MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RS3L140GNGZETB
- rs3l140gngzetb
- Rohm Semiconductor
- NCH 60V 14A POWER MOSFET: RS3L14
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1P3M17040K4
- p3m17040k4
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1700V 73A TO-247-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SQJA20EP-T1_BE3
- sqja20ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DI040P04PT-AQ
- di040p04pt.aq
- Diotec Semiconductor
- MOSFET, -40V, -40A, P, 22.7W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFP50N20X3
- ixfp50n20x3
- IXYS
- DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLASS TO-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NVTFS012P03P8Z
- nvtfs012p03p8z
- onsemi
- MOSFET P-CH 30V 8DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1P3M06060T3
- p3m06060t3
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 650V 46A TO220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMP31D7LFBQ-7B
- dmp31d7lfbq.7b
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SI3476DV-T1-BE3
- si3476dv.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IPBE65R115CFD7AATMA1
- ipbe65r115cfd7aatma1
- Infineon Technologies
- AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SIHP065N60E-BE3
- sihp065n60e.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 600V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SSM3K15CT,L3F
- ssm3k15ct.l3f
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК