Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
IAUC41N06S5N102ATMA1
- iauc41n06s5n102atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NVMFS6H801NT3G
- nvmfs6h801nt3g
- onsemi
- TRENCH 8 80V NFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SQJ446EP-T1_BE3
- sqj446ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NVMFS6H801NWFT3G
- nvmfs6h801nwft3g
- onsemi
- TRENCH 8 80V NFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTY26P10T-TRL
- ixty26p10t.trl
- IXYS
- MOSFET P-CH 100V 26A TO252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PJQ4402P-AU_R2_000A1
- pjq4402p.au.r2.000a1
- Panjit International Inc.
- 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTA4N150HV-TRL
- ixta4n150hv.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT4N150HV-TRL
- ixtt4n150hv.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1500V 4A TO268HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1APT50M50L2LLG
- apt50m50l2llg
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 89A 264 MAX
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1GT095N10D5
- gt095n10d5
- Goford Semiconductor
- N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STK130N4LF7AG
- stk130n4lf7ag
- STMicroelectronics
- AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STI6N95K5
- sti6n95k5
- STMicroelectronics
- NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTY1N120PTRL
- ixty1n120ptrl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 1A TO252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1AON7422GS
- aon7422gs
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- MOSFET N-CH 8SOIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMN3060LWQ-7
- dmn3060lwq.7
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SIB4316EDK-T1-GE3
- sib4316edk.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IPB80P03P405ATMA2
- ipb80p03p405atma2
- ROCHESTER ELECTRONICS
- MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1APT50M85JVFR
- apt50m85jvfr
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 50A ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1APT50M85JVR
- apt50m85jvr
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 50A ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12N6806
- 2n6806
- International Rectifier, IR (International Rectifier)
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК