Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
PMV164ENER
- pmv164ener
- Nexperia USA Inc.
- PMV164ENE/SOT23/TO-236AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ476EP-T1_BE3
- sqj476ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R145CFD7XKSA1
- ipa60r145cfd7xksa1
- Infineon Technologies
- HIGH POWER_NEW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP3011SSS-13
- dmp3011sss.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA7N100P-TRL
- ixfa7n100p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G06P01E
- g06p01e
- Goford Semiconductor
- P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V,RD(MAX)<4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD50R380CEBTMA1
- ipd50r380cebtma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS5H600NLT1G
- nvmfs5h600nlt1g
- onsemi
- MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS5H600NLT1G-IRH1
- ntmfs5h600nlt1g.irh1
- onsemi
- T8 60V LOW COSS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS5H600NLT3G
- ntmfs5h600nlt3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA64N10L2-TRL
- ixta64n10l2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 64A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M06300T3
- p3m06300t3
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 650V 9A TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2607ZPBF
- irfr2607zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVHL082N65S3F
- nvhl082n65s3f
- onsemi
- MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
R6524KNZ4C13
- r6524knz4c13
- Rohm Semiconductor
- 650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT5010LVRG
- apt5010lvrg
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 47A TO264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUS300N08S5N011ATMA1
- iaus300n08s5n011atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA60R280C6XKSA1
- ipa60r280c6xksa1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA3N100D2-TRL
- ixta3n100d2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH7N100P
- ixfh7n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 7A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК