Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
IXTT96N20P-TRL
- ixtt96n20p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 96A TO268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW65R095C7
- ipw65r095c7
- Infineon Technologies, INFINEON
- MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7226-75A/C1,118
- buk7226.75a.c1.118
- Nexperia USA Inc., NXP Semiconductors
- N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA3N120-TRR
- ixfa3n120.trr
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA3N120-TRL
- ixfa3n120.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCH041N65EFLN4
- fch041n65efln4
- onsemi
- MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPS65R650CEAKMA1
- ips65r650ceakma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISP98DP10LMXTSA1
- isp98dp10lmxtsa1
- Infineon Technologies
- SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STWA65N65DM2AG
- stwa65n65dm2ag
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHP6N80E-BE3
- sihp6n80e.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 800V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10026JLL
- apt10026jll
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 30A ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002-13-F
- 2n7002.13.f
- DIODES INCORPORATED, DIODES [Diodes Incorporated]
- DIODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJW3P06A-AU_R2_000A1
- pjw3p06a.au.r2.000a1
- Panjit International Inc.
- 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ4443P_R2_00001
- pjq4443p.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA08N100D2HV-TRL
- ixta08n100d2hv.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EPC7014UBC
- epc7014ubc
- EPC Space, LLC
- GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHP4N80E-BE3
- sihp4n80e.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 600V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS5C450NWFAFT3G
- nvmfs5c450nwfaft3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 24A/102A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS6H836NT3G
- nvmfs6h836nt3g
- onsemi
- T8 80V SO8FL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS5C645NLWFT3G
- nvmfs5c645nlwft3g
- onsemi, ONSEMI [ON Semiconductor]
- MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК