Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
STFU14N80K5
- stfu14n80k5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AUIRFS4127TRL
- auirfs4127trl
- Infineon Technologies, INFINEON [Infineon Technologies AG]
- MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G70P02K
- g70p02k
- Goford Semiconductor
- P15V,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SCT4026DEHRC11
- sct4026dehrc11
- Rohm Semiconductor
- 750V, 56A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMTH8008SPSQ-13
- dmth8008spsq.13
- DIODES INC.
- MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6423DQ-T1-BE3
- si6423dq.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMW120R014M1HXKSA1
- imw120r014m1hxksa1
- Infineon Technologies
- SIC DISCRETE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMW120R020M1HXKSA1
- imw120r020m1hxksa1
- Infineon Technologies
- SIC DISCRETE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GT1003D
- gt1003d
- Goford Semiconductor
- N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT140N10P-TRL
- ixft140n10p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AOD380A60
- aod380a60
- Alpha & Omega Semiconductor Inc., Alpha & Omega Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCH099N65S3_F155
- fch099n65s3.f155
- onsemi / Fairchild
- MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AONH36334
- aonh36334
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- MOSFET N-CH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ4443P-AU_R2_000A1
- pjq4443p.au.r2.000a1
- Panjit International Inc.
- 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUA250N04S6N005AUMA1
- iaua250n04s6n005auma1
- Infineon Technologies
- OPTIMOS POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
R6024KNZ4C13
- r6024knz4c13
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA65R110CFDXKSA2
- ipa65r110cfdxksa2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA1R6N100D2-TRL
- ixta1r6n100d2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT8052BFLLG
- apt8052bfllg
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 15A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT8052BLLG
- apt8052bllg
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 15A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК