Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
PJD9P06A-AU_L2_000A1
- pjd9p06a.au.l2.000a1
- Panjit International Inc.
- 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFSC2D9N08H
- ntmfsc2d9n08h
- onsemi
- T8 80V DFN8 5X6 DUAL COOL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW65R110CFDFKSA2
- ipw65r110cfdfksa2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC86106LZ-L701
- fdmc86106lz.l701
- onsemi
- FET 100V 103.0 MOHM MLP33
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC86116LZ-L701
- fdmc86116lz.l701
- onsemi
- FET 100V 103.0 MOHM MLP33
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SCT4062KW7HRTL
- sct4062kw7hrtl
- Rohm Semiconductor
- 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AON6152A
- aon6152a
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- MOSFET N-CH 45V 58A/100A 8DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN1R2-55SLHAX
- psmn1r2.55slhax
- Nexperia
- PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
1IRF3710PBF
- 1irf3710pbf
- Infineon Technologies
- IRF3710 - 100V HEXFET N-CHANNEL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB86563-F085
- fdb86563.f085
- onsemi, FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
- N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 60
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GT088N06T
- gt088n06t
- Goford Semiconductor
- N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJP35N06A_T0_00001
- pjp35n06a.t0.00001
- Panjit International Inc.
- 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SCT4018KRC15
- sct4018krc15
- Rohm Semiconductor
- 1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3009LFVWQ-13
- dmn3009lfvwq.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3493BDV-T1-BE3
- si3493bdv.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDBL86063_F085
- fdbl86063.f085
- onsemi
- MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UJ4SC075011B7S
- uj4sc075011b7s
- Qorvo
- 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCD5N60-F085
- fcd5n60.f085
- onsemi, FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
- FCD5N60_F085 - N-CHANNEL SUPERFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS138-F169
- bss138.f169
- onsemi
- 50V N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF100P219AKMA1
- irf100p219akma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V TO247AC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК