Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
PXP012-30QLJ
- pxp012.30qlj
- Nexperia USA Inc.
- P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M173K0F3
- p3m173k0f3
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1700V 1.97A TO-220F-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M171K0F3
- p3m171k0f3
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1700V 5.5A TO-220F-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW65R190CFDFKSA1
- ipw65r190cfdfksa1
- Infineon Technologies AG
- MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD079N06L3GATMA1
- ipd079n06l3gatma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
R8008ANJGTL
- r8008anjgtl
- Rohm Semiconductor
- NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M12017K4
- p3m12017k4
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1200V 151A TO-247-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFJ20N85X
- ixfj20n85x
- IXYS
- MOSFET N-CH 850V 9.5A ISO TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJW2P10A_R2_00001
- pjw2p10a.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB8832-F085
- fdb8832.f085
- Fairchild Semiconductor
- FDB8832 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS5C645NLT1G
- nvmfs5c645nlt1g
- onsemi, ONSEMI [ON Semiconductor]
- MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M173K0K3
- p3m173k0k3
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1700V 4A TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ403BEEP-T1_BE3
- sqj403beep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS830B
- irfs830b
- Fairchild Semiconductor, FAIRCHILD
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCAC10H03A-TP
- mcac10h03a.tp
- Micro Commercial Co
- N-CHANNEL MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVHL060N090SC1
- nvhl060n090sc1
- onsemi
- SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AONS36308
- aons36308
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- MOSFET N-CH 30V 26A/53A 8DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ2463A_R1_00001
- pjq2463a.r1.00001
- Panjit International Inc.
- 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIDR140DP-T1-RE3
- sidr140dp.t1.re3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB65R150CFDATMA2
- ipb65r150cfdatma2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК