Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
FCPF400N80ZL1-F154
- fcpf400n80zl1.f154
- onsemi
- MOSFET N-CH 800V 11A TO220F-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHF9Z34STRL-GE3
- sihf9z34strl.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CHANNEL 60V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TSM2N7000KCT A3G
- tsm2n7000kct.a3g
- Taiwan Semiconductor Corporation
- MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCH47N60-F085
- fch47n60.f085
- onsemi, Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RQ3E100BNTB1
- rq3e100bntb1
- Rohm Semiconductor
- NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJE138L_R1_00001
- pje138l.r1.00001
- Panjit International Inc.
- 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ4408P_R2_00001
- pjq4408p.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJF18N20_T0_00001
- pjf18n20.t0.00001
- Panjit International Inc.
- 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2318CDS-T1-BE3
- si2318cds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS003P03P8ZT1G
- nvmfs003p03p8zt1g
- onsemi
- PFET SO8FL -30V 3MO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AUIRLS8409-7TRL
- auirls8409.7trl
- Infineon Technologies, INFINEON [Infineon Technologies AG]
- MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMJ70H900HJ3
- dmj70h900hj3
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 700V 7A TO251
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUA250N08S5N018AUMA1
- iaua250n08s5n018auma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPT013N08NM5LFATMA1
- ipt013n08nm5lfatma1
- Infineon Technologies
- TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA72N30X3-TRL
- ixfa72n30x3.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 72A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
YJL2305B-F2-0000HF
- yjl2305b.f2.0000hf
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT150N25X3HV
- ixft150n25x3hv
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 150A TO268HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY90N055T2-TRL
- ixty90n055t2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 90A TO252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
C3M0025065J1
- c3m0025065j1
- Wolfspeed, Inc.
- 650V 25 M SIC MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IQE065N10NM5ATMA1
- iqe065n10nm5atma1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-TSON-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК