Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
NTMFS0D7N03CGT1G
- ntmfs0d7n03cgt1g
- onsemi
- MOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF830PBF-BE3
- irf830pbf.be3
- Vishay Siliconix
- Транзистор: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR9210PBF-BE3
- irfr9210pbf.be3
- Vishay Semiconductors
- P-CHANNEL 200V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMJ70H600SH3
- dmj70h600sh3
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 700V 11A TO251
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LSIC1MO120G0025
- lsic1mo120g0025
- Littelfuse Inc.
- MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJA88EP-T1_BE3
- sqja88ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJA64EP-T1_BE3
- sqja64ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC0310AS-F127-L701
- fdmc0310as.f127.l701
- onsemi
- PT8 NCH 30V/20V S ML
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY1R4N120PHV
- ixty1r4n120phv
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA75N10P-TRL
- ixta75n10p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 75A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA42N15T
- ixta42n15t
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 42A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB65R125C7ATMA2
- ipb65r125c7atma2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH70N65X3
- ixfh70n65x3
- Littelfuse Inc.
- MOSFET 70A 650V X3 TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTDV20N06T4G-VF01
- ntdv20n06t4g.vf01
- onsemi
- MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMTS001N06CLTXG
- nvmts001n06cltxg
- onsemi
- T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHFL210TR-GE3
- sihfl210tr.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CHANNEL 200V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RS1P600BHTB1
- rs1p600bhtb1
- Rohm Semiconductor
- NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJS6417_S1_00001
- pjs6417.s1.00001
- Panjit International Inc.
- 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PXP8R3-20QXJ
- pxp8r3.20qxj
- Nexperia USA Inc.
- PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTT110N10L2-TRL
- ixtt110n10l2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК