Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
MCAC25P10YHE3-TP
- mcac25p10yhe3.tp
- Micro Commercial Co
- P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJC7409_R1_00001
- pjc7409.r1.00001
- Panjit International Inc.
- 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSM6J808R,LXHF
- ssm6j808r.lxhf
- Toshiba Semiconductor and Storage
- AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA2N100P-TRL
- ixta2n100p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPT008N06NM5LFATMA1
- ipt008n06nm5lfatma1
- Infineon Technologies
- TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIL03N10A-TP
- sil03n10a.tp
- Micro Commercial Co
- MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJD40N04-AU_L2_000A1
- pjd40n04.au.l2.000a1
- Panjit International Inc.
- 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3473CDV-T1-BE3
- si3473cdv.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJS6421_S1_00001
- pjs6421.s1.00001
- PanJit Semiconductor
- 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMX100UNZ
- pmx100unz
- Nexperia USA Inc.
- PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002KWA-TP
- 2n7002kwa.tp
- Micro Commercial Co
- Транзистор: N-CHANNEL MOSFET SOT-323
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA30N25X3
- ixfa30n25x3
- Littelfuse Inc.
- MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS5C430NLWFET1G
- nvmfs5c430nlwfet1g
- onsemi
- T6-40V N 1.4 MOHMS LL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMBG65R048M1HXTMA1
- imbg65r048m1hxtma1
- Infineon Technologies
- SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS10N3D2C
- ntmfs10n3d2c
- onsemi
- MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD60R600C6BTMA1
- ipd60r600c6btma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PXN5R4-30QLJ
- pxn5r4.30qlj
- Nexperia USA Inc.
- PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD60R360CFD7ATMA1
- ipd60r360cfd7atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3-313
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPP65R190CFDXKSA2
- ipp65r190cfdxksa2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMTH10H2M5STLWQ-13
- dmth10h2m5stlwq.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК