Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
RW4E065GNTCL1
- rw4e065gntcl1
- Rohm Semiconductor
- NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQA405CEJW-T1_GE3
- sqa405cejw.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUA250N04S6N007EAUMA1
- iaua250n04s6n007eauma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_(20V 40V)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS6H800NLT1G
- nvmfs6h800nlt1g
- onsemi
- MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQM120N10-09_GE3
- sqm120n10.09.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ886EP-T1_BE3
- sqj886ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ443EP-T2_GE3
- sqj443ep.t2.ge3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ860EP-T1_BE3
- sqj860ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ4468AP_R2_00001
- pjq4468ap.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
R8006KNXC7G
- r8006knxc7g
- Rohm Semiconductor
- HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2312CDS-T1-BE3
- si2312cds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ460AEP-T1_BE3
- sqj460aep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR214TRPBF-BE3
- irfr214trpbf.be3
- Vishay Semiconductors
- N-CHANNEL 250V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD60R450E6BTMA1
- ipd60r450e6btma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP2305UQ-7
- dmp2305uq.7
- Diodes Incorporated, TYSEMI [TY Semiconductor Co., Ltd]
- MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2367DS-T1-BE3
- si2367ds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB46N60M6
- stb46n60m6
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ5427_R2_00001
- pjq5427.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RQ3E180BNTB1
- rq3e180bntb1
- Rohm Semiconductor
- NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RQ3E160ADTB1
- rq3e160adtb1
- Rohm Semiconductor
- NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК