Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
ISZ230N10NM6ATMA1
- isz230n10nm6atma1
- Infineon Technologies
- Транзистор: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UF4SC120023K4S
- uf4sc120023k4s
- Qorvo
- 1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UF4SC120030K4S
- uf4sc120030k4s
- Qorvo
- 1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPP220N25NFD
- ipp220n25nfd
- Infineon Technologies, INFINEON [Infineon Technologies AG]
- MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2343CDS-T1-BE3
- si2343cds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMT6005LCT
- dmt6005lct
- Diodes Incorporated, DIODES [Diodes Incorporated]
- MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMTH6016LFVWQ-13-A
- dmth6016lfvwq.13.a
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMTH6016LFVWQ-7-A
- dmth6016lfvwq.7.a
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3404LQ-7
- dmn3404lq.7
- Diodes Incorporated, TYSEMI [TY Semiconductor Co., Ltd]
- MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2323DDS-T1-BE3
- si2323dds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ433EP-T1_BE3
- sqj433ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4C06NBT3G
- ntmfs4c06nbt3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA34N65X2
- ixta34n65x2
- IXYS, IXYS [IXYS Corporation]
- MOSFET N-CH 650V 34A TO263AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT140N20X3HV
- ixft140n20x3hv
- Littelfuse Inc.
- MOSFET N-CH 200V 140A TO268HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW26N60M2
- stw26n60m2
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQD10N30-330H_4GE3
- sqd10n30.330h.4ge3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS6H800NLWFT1G
- nvmfs6h800nlwft1g
- onsemi
- MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
R6524KNX3C16
- r6524knx3c16
- Rohm Semiconductor
- 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
R6547ENZ4C13
- r6547enz4c13
- Rohm Semiconductor
- 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPL65R340CFDAUMA2
- ipl65r340cfdauma2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 10.9A 4VSON
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК