Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
FDS2672-F085
- fds2672.f085
- onsemi, Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002KQ-7
- 2n7002kq.7
- DIODES INCORPORATED, Diodes
- Транзистор: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPL60R115CFD7AUMA1
- ipl60r115cfd7auma1
- Infineon Technologies
- HIGH POWER_NEW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7S2R0-40HJ
- buk7s2r0.40hj
- Nexperia USA Inc.
- BUK7S2R0-40H/SOT1235/LFPAK88
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UJ4C075044K4S
- uj4c075044k4s
- Qorvo
- 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M06040K3
- p3m06040k3
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 650V 68A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M06040K4
- p3m06040k4
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 650V 68A TO247-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UJ4C075033K4S
- uj4c075033k4s
- Qorvo
- 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIDR870ADP-T1-RE3
- sidr870adp.t1.re3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UJ4SC075009K4S
- uj4sc075009k4s
- Qorvo
- 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2307BDS-T1-BE3
- si2307bds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVD6416ANLT4G-001
- nvd6416anlt4g.001
- onsemi
- MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ4466AP-AU_R2_000A1
- pjq4466ap.au.r2.000a1
- Panjit International Inc.
- 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH86N25T
- ixth86n25t
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 86A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GT060N04D3
- gt060n04d3
- Goford Semiconductor
- N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
60N06
- 60n06
- Goford Semiconductor, I
- N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVD4806NT4G-VF01
- nvd4806nt4g.vf01
- onsemi
- NVD4806 - SINGLE N-CHANNEL POWER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCMT080N65S3
- fcmt080n65s3
- onsemi
- MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA16N50P-TRL
- ixfa16n50p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMZA120R040M1HXKSA1
- imza120r040m1hxksa1
- Infineon Technologies
- SIC DISCRETE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК