Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
FCPF380N65FL1-F154
- fcpf380n65fl1.f154
- onsemi
- MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT34F60S/TR
- apt34f60s.tr
- Microchip Technology
- MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7S2R5-40HJ
- buk7s2r5.40hj
- Nexperia USA Inc.
- BUK7S2R5-40H/SOT1235/LFPAK88
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMW65R039M1HXKSA1
- imw65r039m1hxksa1
- Infineon Technologies
- SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2343DS-T1-BE3
- si2343ds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ415EP-T1_BE3
- sqj415ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS5C450NLAFT3G
- nvmfs5c450nlaft3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 27A/110A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS5C450NLWFAFT3G
- nvmfs5c450nlwfaft3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 27A/110A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP032N08-F102
- fdp032n08.f102
- onsemi
- MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ407EP-T1_BE3
- sqj407ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW20N60M2-EP
- stw20n60m2.ep
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK98150-55A/CU135
- buk98150.55a.cu135
- Nexperia USA Inc.
- NOW NEXPERIA BUK98150-55A - POWE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJW4N06A_R2_00001
- pjw4n06a.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTK400N15X4
- ixtk400n15x4
- Littelfuse Inc.
- MOSFET N-CH 150V 400A TO264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80P04P407ATMA2
- ipb80p04p407atma2
- Infineon Technologies
- MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G16P03S
- g16p03s
- Goford Semiconductor
- P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP030N06B-F102
- fdp030n06b.f102
- onsemi / Fairchild, Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G08P06D3
- g08p06d3
- Goford Semiconductor
- P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMP6A18KQTC
- zxmp6a18kqtc
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G05P06L
- g05p06l
- Goford Semiconductor
- P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК