Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
IPP65R110CFDXKSA2
- ipp65r110cfdxksa2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH04N300P3HV
- ixth04n300p3hv
- Littelfuse Inc.
- MOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHL120N60S5Z
- nthl120n60s5z
- onsemi
- MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW60R125CPFKSA1
- ipw60r125cpfksa1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMJS1D3N04CTWG
- ntmjs1d3n04ctwg
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4568PBFXKMA1
- irfp4568pbfxkma1
- Infineon Technologies
- Транзистор: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUA120N04S5N014AUMA1
- iaua120n04s5n014auma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G6P06
- g6p06
- Goford Semiconductor
- P60V,RD(MAX)<96M@-10V,RD(MAX)<14
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10086BVRG
- apt10086bvrg
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 13A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPI50R399CPXKSA1
- ipi50r399cpxksa1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STH80N10LF7-2AG
- sth80n10lf7.2ag
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2319DS-T1-BE3
- si2319ds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHP35N60E-BE3
- sihp35n60e.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 600V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX400N15X3
- ixfx400n15x3
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF100P218AKMA1
- irf100p218akma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCH060N80-F155
- fch060n80.f155
- onsemi
- MOSFET N-CH 800V 56A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQB27N25TM-F085
- fqb27n25tm.f085
- onsemi, Fairchild Semiconductor
- FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB90N06S404ATMA2
- ipb90n06s404atma2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTC040N120SC1
- ntc040n120sc1
- onsemi
- SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTC080N120SC1
- ntc080n120sc1
- onsemi
- SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК