Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
UJ4C075023K4S
- uj4c075023k4s
- Qorvo
- 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA02N250HV-TRL
- ixta02n250hv.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQP120P06-6M7L_GE3
- sqp120p06.6m7l.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 60V TO220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ402EP-T1_BE3
- sqj402ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHA21N65EF-GE3
- siha21n65ef.ge3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 600V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G20P08K
- g20p08k
- Goford Semiconductor
- P-80V,RD(MAX)<62M@-10V,RD(MAX)<7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUT300N10S5N014ATMA1
- iaut300n10s5n014atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC013P030Z
- fdmc013p030z
- onsemi
- P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTT40N50L2-TRL
- ixtt40n50l2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 40A TO268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10086BVFRG
- apt10086bvfrg
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 13A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA120P065T-TRL
- ixta120p065t.trl
- IXYS
- MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUS300N10S5N014ATMA1
- iaus300n10s5n014atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK160F10N1L,LQ
- tk160f10n1l.lq
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA08N120P-TRL
- ixta08n120p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SCTH60N120G2-7
- scth60n120g2.7
- STMICROELECTRONICS
- PTD WBG & POWER RF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDP4D5N10C
- fdp4d5n10c
- onsemi
- MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB070AN06A0-F085
- fdb070an06a0.f085
- onsemi, Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 15A TO263AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ457EP-T2_GE3
- sqj457ep.t2.ge3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA6N100D2HV
- ixta6n100d2hv
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPP80N07S405AKSA1
- ipp80n07s405aksa1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH TO220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК