Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
STP26N60M2
- stp26n60m2
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ601-ZK-E1-AZ
- 2sj601.zk.e1.az
- Renesas Electronics Corporation
- Транзистор: MP-3ZK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMT185N60S5H
- ntmt185n60s5h
- onsemi
- SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMCB60XNZ
- pmcb60xnz
- Nexperia USA Inc.
- PMCB60XN/NAX000/NONE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMP3011SFVWQ-13
- dmp3011sfvwq.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHB22N60ET5-GE3
- sihb22n60et5.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVTYS014P04M8LTWG
- nvtys014p04m8ltwg
- onsemi
- MV8 40V LL SINGLE PCH L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB60R105CFD7ATMA1
- ipb60r105cfd7atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 21A TO263-3-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJA68EP-T1_BE3
- sqja68ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIDR668DP-T1-RE3
- sidr668dp.t1.re3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMV28ENER
- pmv28ener
- Nexperia USA Inc.
- PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002KHE3-TP
- 2n7002khe3.tp
- Micro Commercial Co
- N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJE8428_R1_00001
- pje8428.r1.00001
- Panjit International Inc.
- 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB65R310CFDATMA1
- ipb65r310cfdatma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9J0R9-40HX
- buk9j0r9.40hx
- Nexperia USA Inc.
- BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCG20P03-TP
- mcg20p03.tp
- Micro Commercial Co
- P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW60R099C7
- ipw60r099c7
- Infineon Technologies, INFINEON [Infineon Technologies AG]
- MOSFET N-CH 600V 22A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AON6160
- aon6160
- Alpha & Omega Semiconductor Inc., Alpha & Omega Semiconductor
- MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G20N03K
- g20n03k
- Goford Semiconductor
- N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AO3400
- ao3400
- Alpha & Omega Semiconductor Ltd, ALPHA
- MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК