Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
PJQ4464AP-AU_R2_000A1
- pjq4464ap.au.r2.000a1
- Panjit International Inc.
- 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSJPF06N80A-BP
- msjpf06n80a.bp
- Micro Commercial Co
- MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVTFWS007N08HLTAG
- nvtfws007n08hltag
- onsemi
- 80V T8 IN U8FL HEFET PACK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISC230N10NM6ATMA1
- isc230n10nm6atma1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-TDSON-9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN5R6-100YSFX
- psmn5r6.100ysfx
- Nexperia USA Inc.
- MOSFET N-CH 100V 158A LFPAK56
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AUIRFS4127
- auirfs4127
- International Rectifier, IRF [International Rectifier]
- MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA86N20T-TRL
- ixta86n20t.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 86A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJD50N10AL-AU_L2_000A1
- pjd50n10al.au.l2.000a1
- Panjit International Inc.
- 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS5C430NLAT1G
- ntmfs5c430nlat1g
- onsemi
- NFET SO8FL 40V 200A 1.5MOH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G11S
- g11s
- Goford Semiconductor
- P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4.5V,RD(MAX
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA48P05T-TRL
- ixta48p05t.trl
- IXYS
- MOSFET P-CH 50V 48A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHK055N60EF-T1GE3
- sihk055n60ef.t1ge3
- Vishay Siliconix
- E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC658AP-G
- fdc658ap.g
- onsemi
- FDC658AP - MOSFET 30V 50.0 MOHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TSM043NH04LCR RLG
- tsm043nh04lcr.rlg
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TSM043NH04CR RLG
- tsm043nh04cr.rlg
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
R6524ENZ4C13
- r6524enz4c13
- Rohm Semiconductor
- 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SCT30N120D2
- sct30n120d2
- STMicroelectronics
- SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMTH4M70SPGW-13
- dmth4m70spgw.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA34N65X2-TRL
- ixta34n65x2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 650V 34A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQA444CEJW-T1_GE3
- sqa444cejw.t1.ge3
- Vishay Semiconductors
- AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК