Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
DI035P04PT-AQ
- di035p04pt.aq
- Diotec Semiconductor
- MOSFET, -40V, -35A, P, 25W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFP8N85XM
- ixfp8n85xm
- IXYS
- MOSFET N-CH 850V 8A TO220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY48P05T-TRL
- ixty48p05t.trl
- IXYS
- MOSFET P-CH 50V 48A TO252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJD45P04_L2_00001
- pjd45p04.l2.00001
- Panjit International Inc.
- 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD06P004NATMA1
- ipd06p004natma1
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJK2075DPA-00#J5A
- rjk2075dpa.00.j5a
- Renesas Electronics Corporation
- MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY1R6N100D2-TRL
- ixty1r6n100d2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G20P10KE
- g20p10ke
- Goford Semiconductor
- P-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC642P-F085P
- fdc642p.f085p
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC7678-L701
- fdmc7678.l701
- onsemi
- PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY1R4N120P-TRL
- ixty1r4n120p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMTH8028LFVW-7
- dmth8028lfvw.7
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISP14EP15LMXTSA1
- isp14ep15lmxtsa1
- Infineon Technologies
- SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTT12N150HV-TRL
- ixtt12n150hv.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1500V 12A TO268HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTH4L040N65S3F
- nth4l040n65s3f
- ONSEMI
- MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AONS36303
- aons36303
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- MOSFET N-CH 30V 5X6 8DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBHV8115TLH215
- pbhv8115tlh215
- NXP Semiconductors
- NEXPERIA PBHV8115X - SMALL SIGNA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJD50P04-AU_L2_000A1
- pjd50p04.au.l2.000a1
- Panjit International Inc.
- 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPT012N06NATMA1
- ipt012n06natma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJE8438_R1_00001
- pje8438.r1.00001
- Panjit
- 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК