Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
PJW3P06A_R2_00001
- pjw3p06a.r2.00001
- Panjit
- 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVATS5A302PLZT4G
- nvats5a302plzt4g
- onsemi
- MOSFET P-CHANNEL 60V 80A ATPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJK2017DPP-M0#T2
- rjk2017dpp.m0.t2
- Renesas Electronics
- ABU / MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHL045N065SC1
- nthl045n065sc1
- onsemi
- SIC MOS TO247-3L 650V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUC50N08S5L096ATMA1
- iauc50n08s5l096atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M06060L8
- p3m06060l8
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 650V 40A TOLL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M06300D5
- p3m06300d5
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 650V 9A DFN5*6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA15N50L2-TRL
- ixta15n50l2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA60N20T-TRL
- ixta60n20t.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVD6414ANT4G-VF01
- nvd6414ant4g.vf01
- onsemi
- MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA32P05T-TRL
- ixta32p05t.trl
- IXYS
- MOSFET P-CH 50V 32A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJD80N04_L2_00001
- pjd80n04.l2.00001
- Panjit International Inc.
- 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHP11N80E-BE3
- sihp11n80e.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 800V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TSM025NH04CR RLG
- tsm025nh04cr.rlg
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M12040G7
- p3m12040g7
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1200V 69A TO-263-7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M12080G7
- p3m12080g7
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1200V 32A TO-263-7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA20N85XHV-TRL
- ixfa20n85xhv.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 850V 20A TO263HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT16N120P-TRL
- ixft16n120p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
R6535ENZ4C13
- r6535enz4c13
- Rohm Semiconductor
- 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
R6530ENZ4C13
- r6530enz4c13
- Rohm Semiconductor
- 650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК