Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
PJE8439_R1_00001
- pje8439.r1.00001
- Panjit International Inc.
- 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHP14N60E-BE3
- sihp14n60e.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 600V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10050LVFRG
- apt10050lvfrg
- MICROCHIP (MICROSEMI), Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS4C310NWFT3G
- nvmfs4c310nwft3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 30V TRENCH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL325N4LF8AG
- stl325n4lf8ag
- STMicroelectronics
- AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTT140N075L2HV
- ixtt140n075l2hv
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 140A TO268HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
E3M0075120D
- e3m0075120d
- Wolfspeed, Inc.
- 1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TSM070NH04CR RLG
- tsm070nh04cr.rlg
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJD25N10A_L2_00001
- pjd25n10a.l2.00001
- Panjit International Inc.
- 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M06300D8
- p3m06300d8
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 650V 9A DFN8*8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TSM070NH04LCR RLG
- tsm070nh04lcr.rlg
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TSM032NH04LCR RLG
- tsm032nh04lcr.rlg
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCAC38N10YA-TP
- mcac38n10ya.tp
- Micro Commercial Co
- N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPA11N80C3 E8209
- spa11n80c3.e8209
- Infineon Technologies
- 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
R8002ANJGTL
- r8002anjgtl
- Rohm Semiconductor
- NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJD25N03_L2_00001
- pjd25n03.l2.00001
- PanJit Semiconductor
- 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G23N06K
- g23n06k
- Goford Semiconductor
- N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G35N02K
- g35n02k
- Goford Semiconductor
- N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJD50N04_L2_00001
- pjd50n04.l2.00001
- Panjit International Inc.
- 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4C028NT3G
- ntmfs4c028nt3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК