Транзисторы - IGBT - одиночные
Всего товаров: 64
STGP20H65FB2
- stgp20h65fb2
- STMicroelectronics
- Транзистор: IGBT 600V 40A 167W TO220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXYH85N120C4
- ixyh85n120c4
- IXYS
- Транзистор: IGBT 1200V 85A GEN4 XPT TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXXH140N65C4
- ixxh140n65c4
- IXYS
- Транзистор: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IGC15T65QEX1SA1
- igc15t65qex1sa1
- Infineon Technologies
- Транзистор: IGBT CHIP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RGS80TS65DHRC11
- rgs80ts65dhrc11
- Rohm Semiconductor
- Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1AIHD03N60RFATMA1
- aihd03n60rfatma1
- Infineon Technologies
- Транзистор: IC DISCRETE 600V TO252-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RGTH00TS65DGC13
- rgth00ts65dgc13
- Rohm Semiconductor
- Транзистор: HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1AIKQ120N75CP2XKSA1
- aikq120n75cp2xksa1
- Infineon Technologies
- Транзистор: DISCRETE SWITCHES PG-TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1AIKQ200N75CP2XKSA1
- aikq200n75cp2xksa1
- Infineon Technologies
- Транзистор: IGBT TRENCH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXYX300N65A3
- ixyx300n65a3
- IXYS
- Транзистор: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MIW50N65F-BP
- miw50n65f.bp
- Micro Commercial Co
- Транзистор: IGBT 650V 40A TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXBF55N300
- ixbf55n300
- IXYS
- Транзистор: DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT I4-P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1LGB18N40ATH
- lgb18n40ath
- Littelfuse Inc.
- IGBT 430V 18A 115W D2PAK3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1LGB8206ARI
- lgb8206ari
- Littelfuse Inc.
- IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1GT50N322A
- gt50n322a
- Toshiba Semiconductor and Storage, TOSHIBA Semiconductor
- Транзистор: PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN IC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1LGS8206AUI
- lgs8206aui
- Littelfuse Inc.
- IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STGB20H65FB2
- stgb20h65fb2
- STMicroelectronics
- Транзистор: IGBT 600V 40A 167W D2PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1LGD8205ATI
- lgd8205ati
- Littelfuse Inc.
- IGBT 390V 20A 125W DPAK-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1LGD8201ATI
- lgd8201ati
- Littelfuse Inc.
- IGBT 440V 20A 125W DPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1LGB8245TI
- lgb8245ti
- Littelfuse Inc.
- IGBT 490V 20A 150W D2PAK3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) сочетают в себе высокоэффективные характеристики полевых транзисторов (MOSFET) и высокую перегрузочную способность биполярных транзисторов. Это делает их идеальными для применения в областях, где требуется управление большими токами и/или высокими напряжениями.
Ключевые характеристики одиночных IGBT транзисторов включают:
- максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce). Максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать между коллектором и эмиттером;
- максимальный ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора;
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): Минимальное напряжение между коллектором и эмиттером при полном открытии транзистора;
- время выключения (tf): Время, необходимое транзистору для перехода из проводящего состояния в непроводящее.
Применение одиночных IGBT транзисторов
Одиночные IGBT транзисторы широко используются в различных приложениях:
- преобразователи мощности. В инверторах, преобразующих постоянный ток в переменный, и в преобразователях частоты для управления скоростью двигателей;
- системы электропитания. В источниках бесперебойного питания (ИБП) и в высоковольтных источниках питания;
- электротранспорт. В системах управления двигателями электрических и гибридных автомобилей;
- индукционное нагревание и сварка. Для управления процессами, требующими высокой мощности и быстрого переключения.
Интеграция и использование
При интеграции одиночных IGBT транзисторов в электронные схемы важно учитывать их характеристики, чтобы обеспечить эффективное и надежное управление мощностью. Необходимо обеспечить адекватный теплоотвод, так как при управлении большими токами транзисторы могут генерировать значительное количество тепла.
Также важно учитывать характеристики управления затвором и подходящее драйверное устройство для IGBT, чтобы обеспечить правильное открытие и закрытие транзистора. Использование одиночных IGBT транзисторов позволяет разработчикам создавать высокоэффективные системы управления мощностью для широкого спектра промышленных и потребительских приложений, оптимизируя производительность и энергоэффективность устройств.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК