Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Транзисторы - IGBT - одиночные

Всего товаров: 64

STGP20H65FB2

  • stgp20h65fb2
  • STMicroelectronics
  • Транзистор: IGBT 600V 40A 167W TO220AB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXYH85N120C4

  • ixyh85n120c4
  • IXYS
  • Транзистор: IGBT 1200V 85A GEN4 XPT TO247

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXXH140N65C4

  • ixxh140n65c4
  • IXYS
  • Транзистор: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IGC15T65QEX1SA1

  • igc15t65qex1sa1
  • Infineon Technologies
  • Транзистор: IGBT CHIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RGS80TS65DHRC11

  • rgs80ts65dhrc11
  • Rohm Semiconductor
  • Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AIHD03N60RFATMA1

  • aihd03n60rfatma1
  • Infineon Technologies
  • Транзистор: IC DISCRETE 600V TO252-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RGTH00TS65DGC13

  • rgth00ts65dgc13
  • Rohm Semiconductor
  • Транзистор: HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AIKQ120N75CP2XKSA1

  • aikq120n75cp2xksa1
  • Infineon Technologies
  • Транзистор: DISCRETE SWITCHES PG-TO247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AIKQ200N75CP2XKSA1

  • aikq200n75cp2xksa1
  • Infineon Technologies
  • Транзистор: IGBT TRENCH

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXYX300N65A3

  • ixyx300n65a3
  • IXYS
  • Транзистор: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MIW50N65F-BP

  • miw50n65f.bp
  • Micro Commercial Co
  • Транзистор: IGBT 650V 40A TO-247

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXBF55N300

  • ixbf55n300
  • IXYS
  • Транзистор: DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT I4-P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

LGB18N40ATH

  • lgb18n40ath
  • Littelfuse Inc.
  • IGBT 430V 18A 115W D2PAK3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

LGB8206ARI

  • lgb8206ari
  • Littelfuse Inc.
  • IGBT 390V 20A 150W D2PAK3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

GT50N322A

  • gt50n322a
  • Toshiba Semiconductor and Storage, TOSHIBA Semiconductor
  • Транзистор: PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN IC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

LGS8206AUI

  • lgs8206aui
  • Littelfuse Inc.
  • IGBT 390V 20A 150W D2PAK3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STGB20H65FB2

  • stgb20h65fb2
  • STMicroelectronics
  • Транзистор: IGBT 600V 40A 167W D2PAK

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

LGD8205ATI

  • lgd8205ati
  • Littelfuse Inc.
  • IGBT 390V 20A 125W DPAK-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

LGD8201ATI

  • lgd8201ati
  • Littelfuse Inc.
  • IGBT 440V 20A 125W DPAK

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

LGB8245TI

  • lgb8245ti
  • Littelfuse Inc.
  • IGBT 490V 20A 150W D2PAK3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Одиночные транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) сочетают в себе высокоэффективные характеристики полевых транзисторов (MOSFET) и высокую перегрузочную способность биполярных транзисторов. Это делает их идеальными для применения в областях, где требуется управление большими токами и/или высокими напряжениями.

Ключевые характеристики одиночных IGBT транзисторов включают:

  • максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce). Максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать между коллектором и эмиттером;
  • максимальный ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора;
  • напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): Минимальное напряжение между коллектором и эмиттером при полном открытии транзистора;
  • время выключения (tf): Время, необходимое транзистору для перехода из проводящего состояния в непроводящее.

Применение одиночных IGBT транзисторов

Одиночные IGBT транзисторы широко используются в различных приложениях:

  • преобразователи мощности. В инверторах, преобразующих постоянный ток в переменный, и в преобразователях частоты для управления скоростью двигателей;
  • системы электропитания. В источниках бесперебойного питания (ИБП) и в высоковольтных источниках питания;
  • электротранспорт. В системах управления двигателями электрических и гибридных автомобилей;
  • индукционное нагревание и сварка. Для управления процессами, требующими высокой мощности и быстрого переключения.

Интеграция и использование

При интеграции одиночных IGBT транзисторов в электронные схемы важно учитывать их характеристики, чтобы обеспечить эффективное и надежное управление мощностью. Необходимо обеспечить адекватный теплоотвод, так как при управлении большими токами транзисторы могут генерировать значительное количество тепла.

Также важно учитывать характеристики управления затвором и подходящее драйверное устройство для IGBT, чтобы обеспечить правильное открытие и закрытие транзистора. Использование одиночных IGBT транзисторов позволяет разработчикам создавать высокоэффективные системы управления мощностью для широкого спектра промышленных и потребительских приложений, оптимизируя производительность и энергоэффективность устройств.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь