Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Транзисторы - IGBT - одиночные

Всего товаров: 64

ISL9V5045S3ST-F085C

  • isl9v5045s3st.f085c
  • onsemi
  • Транзистор: ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXDA20N120AS-TUB

  • ixda20n120as.tub
  • IXYS
  • Транзистор: IGBT

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXGH30N120B3

  • ixgh30n120b3
  • IXYS, IXYS [IXYS Corporation]
  • Транзистор: DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-24

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

GT30N135SRA,S1E

  • gt30n135sra.s1e
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • Транзистор: D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Одиночные транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) сочетают в себе высокоэффективные характеристики полевых транзисторов (MOSFET) и высокую перегрузочную способность биполярных транзисторов. Это делает их идеальными для применения в областях, где требуется управление большими токами и/или высокими напряжениями.

Ключевые характеристики одиночных IGBT транзисторов включают:

  • максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce). Максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать между коллектором и эмиттером;
  • максимальный ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора;
  • напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): Минимальное напряжение между коллектором и эмиттером при полном открытии транзистора;
  • время выключения (tf): Время, необходимое транзистору для перехода из проводящего состояния в непроводящее.

Применение одиночных IGBT транзисторов

Одиночные IGBT транзисторы широко используются в различных приложениях:

  • преобразователи мощности. В инверторах, преобразующих постоянный ток в переменный, и в преобразователях частоты для управления скоростью двигателей;
  • системы электропитания. В источниках бесперебойного питания (ИБП) и в высоковольтных источниках питания;
  • электротранспорт. В системах управления двигателями электрических и гибридных автомобилей;
  • индукционное нагревание и сварка. Для управления процессами, требующими высокой мощности и быстрого переключения.

Интеграция и использование

При интеграции одиночных IGBT транзисторов в электронные схемы важно учитывать их характеристики, чтобы обеспечить эффективное и надежное управление мощностью. Необходимо обеспечить адекватный теплоотвод, так как при управлении большими токами транзисторы могут генерировать значительное количество тепла.

Также важно учитывать характеристики управления затвором и подходящее драйверное устройство для IGBT, чтобы обеспечить правильное открытие и закрытие транзистора. Использование одиночных IGBT транзисторов позволяет разработчикам создавать высокоэффективные системы управления мощностью для широкого спектра промышленных и потребительских приложений, оптимизируя производительность и энергоэффективность устройств.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь