Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Транзисторы - IGBT - одиночные

Всего товаров: 64

LGB8202ATI

  • lgb8202ati
  • Littelfuse Inc.
  • IGBT 440V 20A 150W D2PAK

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXGT64N60B3

  • ixgt64n60b3
  • IXYS, IXYS [IXYS Corporation]
  • Транзистор: DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-26

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STGYA50H120DF2

  • stgya50h120df2
  • STMicroelectronics
  • Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IHW30N110R5XKSA1

  • ihw30n110r5xksa1
  • Infineon Technologies
  • Транзистор: IGBT TRENCH

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RGS00TS65EHRC11

  • rgs00ts65ehrc11
  • Rohm Semiconductor
  • Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RGWX5TS65DHRC11

  • rgwx5ts65dhrc11
  • Rohm Semiconductor
  • Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AOD5B65MQ1E

  • aod5b65mq1e
  • ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, Alpha & Omega Semiconductor
  • Транзистор: IGBT 5A 650V TO252

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AOK40B120N1

  • aok40b120n1
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Транзистор: IGBT 1200V 40A TO-247

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NGTD21T65F2WP

  • ngtd21t65f2wp
  • onsemi
  • Транзистор: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXYK300N65A3

  • ixyk300n65a3
  • Littelfuse
  • Транзистор: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

LGB8207BTH

  • lgb8207bth
  • Littelfuse Inc.
  • Транзистор: IGBT 365V 20A 165W D2PAK3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

LGB8207TH

  • lgb8207th
  • Littelfuse Inc.
  • Транзистор: IGBT 365V 20A 165W D2PAK3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RGW00TS65DHRC11

  • rgw00ts65dhrc11
  • Rohm Semiconductor
  • Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FGHL75T65LQDT

  • fghl75t65lqdt
  • onsemi
  • Транзистор: FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FGHL75T65MQDT

  • fghl75t65mqdt
  • onsemi
  • Транзистор: FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXBH14N300HV

  • ixbh14n300hv
  • IXYS
  • Транзистор: DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AIKW75N60CTE8188XKSA1

  • aikw75n60cte8188xksa1
  • Infineon Technologies
  • Транзистор: IGBT 600V TO247-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

LGB8204ATI

  • lgb8204ati
  • Littelfuse Inc.
  • IGBT 430V 18A 115W D2PAK3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STGYA75H120DF2

  • stgya75h120df2
  • STMicroelectronics
  • Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 1200 V, 7

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

LGD18N40ATH

  • lgd18n40ath
  • Littelfuse Inc.
  • IGBT 430V 15A 115W DPAK-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Одиночные транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) сочетают в себе высокоэффективные характеристики полевых транзисторов (MOSFET) и высокую перегрузочную способность биполярных транзисторов. Это делает их идеальными для применения в областях, где требуется управление большими токами и/или высокими напряжениями.

Ключевые характеристики одиночных IGBT транзисторов включают:

  • максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce). Максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать между коллектором и эмиттером;
  • максимальный ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора;
  • напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): Минимальное напряжение между коллектором и эмиттером при полном открытии транзистора;
  • время выключения (tf): Время, необходимое транзистору для перехода из проводящего состояния в непроводящее.

Применение одиночных IGBT транзисторов

Одиночные IGBT транзисторы широко используются в различных приложениях:

  • преобразователи мощности. В инверторах, преобразующих постоянный ток в переменный, и в преобразователях частоты для управления скоростью двигателей;
  • системы электропитания. В источниках бесперебойного питания (ИБП) и в высоковольтных источниках питания;
  • электротранспорт. В системах управления двигателями электрических и гибридных автомобилей;
  • индукционное нагревание и сварка. Для управления процессами, требующими высокой мощности и быстрого переключения.

Интеграция и использование

При интеграции одиночных IGBT транзисторов в электронные схемы важно учитывать их характеристики, чтобы обеспечить эффективное и надежное управление мощностью. Необходимо обеспечить адекватный теплоотвод, так как при управлении большими токами транзисторы могут генерировать значительное количество тепла.

Также важно учитывать характеристики управления затвором и подходящее драйверное устройство для IGBT, чтобы обеспечить правильное открытие и закрытие транзистора. Использование одиночных IGBT транзисторов позволяет разработчикам создавать высокоэффективные системы управления мощностью для широкого спектра промышленных и потребительских приложений, оптимизируя производительность и энергоэффективность устройств.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь