Транзисторы - IGBT - одиночные
Всего товаров: 64
LGB8202ATI
- lgb8202ati
- Littelfuse Inc.
- IGBT 440V 20A 150W D2PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXGT64N60B3
- ixgt64n60b3
- IXYS, IXYS [IXYS Corporation]
- Транзистор: DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-26
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STGYA50H120DF2
- stgya50h120df2
- STMicroelectronics
- Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IHW30N110R5XKSA1
- ihw30n110r5xksa1
- Infineon Technologies
- Транзистор: IGBT TRENCH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RGS00TS65EHRC11
- rgs00ts65ehrc11
- Rohm Semiconductor
- Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RGWX5TS65DHRC11
- rgwx5ts65dhrc11
- Rohm Semiconductor
- Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1AOD5B65MQ1E
- aod5b65mq1e
- ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, Alpha & Omega Semiconductor
- Транзистор: IGBT 5A 650V TO252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1AOK40B120N1
- aok40b120n1
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Транзистор: IGBT 1200V 40A TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NGTD21T65F2WP
- ngtd21t65f2wp
- onsemi
- Транзистор: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXYK300N65A3
- ixyk300n65a3
- Littelfuse
- Транзистор: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1LGB8207BTH
- lgb8207bth
- Littelfuse Inc.
- Транзистор: IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1LGB8207TH
- lgb8207th
- Littelfuse Inc.
- Транзистор: IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RGW00TS65DHRC11
- rgw00ts65dhrc11
- Rohm Semiconductor
- Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FGHL75T65LQDT
- fghl75t65lqdt
- onsemi
- Транзистор: FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FGHL75T65MQDT
- fghl75t65mqdt
- onsemi
- Транзистор: FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXBH14N300HV
- ixbh14n300hv
- IXYS
- Транзистор: DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1AIKW75N60CTE8188XKSA1
- aikw75n60cte8188xksa1
- Infineon Technologies
- Транзистор: IGBT 600V TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1LGB8204ATI
- lgb8204ati
- Littelfuse Inc.
- IGBT 430V 18A 115W D2PAK3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STGYA75H120DF2
- stgya75h120df2
- STMicroelectronics
- Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 1200 V, 7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1LGD18N40ATH
- lgd18n40ath
- Littelfuse Inc.
- IGBT 430V 15A 115W DPAK-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) сочетают в себе высокоэффективные характеристики полевых транзисторов (MOSFET) и высокую перегрузочную способность биполярных транзисторов. Это делает их идеальными для применения в областях, где требуется управление большими токами и/или высокими напряжениями.
Ключевые характеристики одиночных IGBT транзисторов включают:
- максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce). Максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать между коллектором и эмиттером;
- максимальный ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора;
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): Минимальное напряжение между коллектором и эмиттером при полном открытии транзистора;
- время выключения (tf): Время, необходимое транзистору для перехода из проводящего состояния в непроводящее.
Применение одиночных IGBT транзисторов
Одиночные IGBT транзисторы широко используются в различных приложениях:
- преобразователи мощности. В инверторах, преобразующих постоянный ток в переменный, и в преобразователях частоты для управления скоростью двигателей;
- системы электропитания. В источниках бесперебойного питания (ИБП) и в высоковольтных источниках питания;
- электротранспорт. В системах управления двигателями электрических и гибридных автомобилей;
- индукционное нагревание и сварка. Для управления процессами, требующими высокой мощности и быстрого переключения.
Интеграция и использование
При интеграции одиночных IGBT транзисторов в электронные схемы важно учитывать их характеристики, чтобы обеспечить эффективное и надежное управление мощностью. Необходимо обеспечить адекватный теплоотвод, так как при управлении большими токами транзисторы могут генерировать значительное количество тепла.
Также важно учитывать характеристики управления затвором и подходящее драйверное устройство для IGBT, чтобы обеспечить правильное открытие и закрытие транзистора. Использование одиночных IGBT транзисторов позволяет разработчикам создавать высокоэффективные системы управления мощностью для широкого спектра промышленных и потребительских приложений, оптимизируя производительность и энергоэффективность устройств.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК