Транзисторы - Специального назначения
Всего товаров: 164
NUS5531MTR2G
- nus5531mtr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET/BJT SGL P-CH 12V 8-WDFN Сфера применения: General Purpose · Тип транзистора: PNP, P-Channel · Номинальное напряжение: 20V PNP, 12V P-Channel · Номинал тока: 2A PNP, 5.47A P-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-WDFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH6935-TL-E
- mch6935.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS PNP/MOSFET N-CH MCPH6 Сфера применения: General Purpose · Тип транзистора: PNP, N-Channel · Номинальное напряжение: 30V PNP, 30V N-Channel · Номинал тока: 700mA PNP, 150mA N-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BCV62B,235
- bcv62b.235
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B Сфера применения: Current Mirror · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BCV62,235
- bcv62.235
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B Сфера применения: Current Mirror · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BCV 61C E6327
- bcv.61c.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN DOUBLE SOT-143 Сфера применения: Current Mirror · Тип транзистора: 2 NPN, Base Collector Junction · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BCV 61B E6327
- bcv.61b.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN DOUBLE SOT-143 Сфера применения: Current Mirror · Тип транзистора: 2 NPN, Base Collector Junction · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BCV 61A E6327
- bcv.61a.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN DBL 30V SOT143-4 Сфера применения: Current Mirror · Тип транзистора: 2 NPN, Base Collector Junction · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BCV61,235
- bcv61.235
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 30V 100MA DUAL SOT143B Сфера применения: Current Mirror · Тип транзистора: 2 NPN, Base Collector Junction · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPCP8F01(TE85L,F)
- tpcp8f01.te85l.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH PNP 20V 2-3V1B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UP05C8B00L
- up05c8b00l
- Panasonic - SSG
- TRANS ARRAY NPN/CCD SSMINI-6 Сфера применения: CCD Output Circuits · Тип транзистора: NPN, N-Channel · Номинальное напряжение: 20V NPN, 40V N-Channel · Номинал тока: 15mA NPN, 10mA N Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 6P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UMC5NT2G
- umc5nt2g
- ON Semiconductor
- TRANS BRT DUAL 50V SOT-353 Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Номинальное напряжение: 50V · Номинал тока: 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UMC5NT1G
- umc5nt1g
- ON Semiconductor
- TRANS BRT NPN/PNP DUAL SOT-353 Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Номинальное напряжение: 50V · Номинал тока: 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UMC5NT1
- umc5nt1
- ON Semiconductor
- TRANS BRT NPN/PNP DUAL SOT-353 Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Номинальное напряжение: 50V · Номинал тока: 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UMC4NTR
- umc4ntr
- ROHM Semiconductor
- Transistors Switching (Resistor Biased) DUAL DIG SMT PNP/NPN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UMF9NTR
- umf9ntr
- Rohm Semiconductor
- TRANS NPN/N-CH 12V 500MA SOT-363 Сфера применения: General Purpose · Тип транзистора: NPN, N-Channel · Номинальное напряжение: 12V NPN, 30V N-Channel · Номинал тока: 500mA NPN, 100mA N-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UMF6NTR
- umf6ntr
- Rohm Semiconductor
- TRANS PNP/N-CH 12V 500MA SOT-363 Сфера применения: General Purpose · Тип транзистора: PNP, N-Channel · Номинальное напряжение: 12V PNP, 30V N-Channel · Номинал тока: 500mA PNP, 100mA N-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP12IE90F4
- stp12ie90f4
- STMicroelectronics
- TRANS BIPO EMITTER SW TO-220FP-4 Серия: ESBT® · Сфера применения: Gate Driver · Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar · Номинальное напряжение: 900V · Номинал тока: 12A · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-4 Full Pack (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP08IE120F4
- stp08ie120f4
- STMicroelectronics
- TRANS BIPO EMITTER SW TO-220FP-4 Серия: ESBT® · Сфера применения: Gate Driver · Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar · Номинальное напряжение: 1200V (1.2kV) · Номинал тока: 8A · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-4 Full Pack (Straight L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STC08IE120HV
- stc08ie120hv
- STMicroelectronics
- TRANS ESBT 1200V 8A TO247-4LHV Серия: ESBT® · Сфера применения: Gate Driver · Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar · Номинальное напряжение: 1200V (1.2kV) · Номинал тока: 8A · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Транзисторы специального назначения — это полупроводниковые устройства, которые разрабатываются и оптимизируются для конкретных приложений или функций, отличающихся от стандартных операций усиления и переключения. Эти транзисторы могут иметь уникальные характеристики, такие как улучшенная радиационная стойкость, высокая температурная стабильность, способность работать на сверхвысоких частотах или в условиях высокой мощности.
Ключевые характеристики могут включать:
- радиационная стойкость. Способность выдерживать высокие уровни ионизирующего излучения без деградации;
- температурный диапазон. Расширенный диапазон рабочих температур, выходящий за стандартные пределы;
- частотные характеристики. Способность работать на сверхвысоких частотах, что критично для некоторых видов связи или радиочастотных приложений;
- мощность. Улучшенная способность управления высокими токами и напряжениями.
Применение транзисторов специального назначения
Такие транзисторы находят применение в различных областях, где требуются уникальные или улучшенные характеристики:
- аэрокосмическая промышленность. В спутниковых системах, космических аппаратах, где требуется радиационная стойкость и работа в широком температурном диапазоне;
- военная техника. В радарах, системах связи, где важны частотные характеристики и надежность в экстремальных условиях;
- промышленное оборудование. В силовой электронике, где требуются компоненты, способные управлять большими токами и напряжениями;
- телекоммуникации. В устройствах сверхвысокой частоты (СВЧ), где необходимы транзисторы, работающие на частотах в гигагерцовом диапазоне.
Интеграция и использование
При интеграции транзисторов специального назначения в электронные системы важно учитывать их уникальные характеристики и требования к рабочей среде. Также необходимо обеспечить адекватный теплоотвод и защиту от внешних воздействий для поддержания стабильности и надежности.
Проектирование с использованием таких транзисторов может требовать дополнительных тестов и проверок, чтобы гарантировать, что они соответствуют строгим требованиям приложений, для которых они предназначены. Учитывая их специализированное назначение, транзисторы специального назначения обеспечивают критически важные функции в системах, где стандартные компоненты не могут справиться с заданными требованиями.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК