Транзисторы - Специального назначения
Всего товаров: 164
STC08DE150HV
- stc08de150hv
- STMicroelectronics
- TRANS ESBT 1500V 8A TO247-4LHV Серия: ESBT® · Сфера применения: Gate Driver · Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar · Номинальное напряжение: 1500V · Номинал тока: 8A · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-4 Modified
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STC04IE170HV
- stc04ie170hv
- STMicroelectronics
- TRANS ESBT 1700V 4A TO247-4LHV Сфера применения: Gate Driver · Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar · Номинальное напряжение: 1700V (1.7kV) · Номинал тока: 4A · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-4 Modified
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STC04IE170HP
- stc04ie170hp
- STMicroelectronics
- TRANS ESBT 1700V 4A TO247-4LHP Сфера применения: Gate Driver · Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar · Номинальное напряжение: 1700V (1.7kV) · Номинал тока: 4A · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-4 Modified
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STC03DE170HV
- stc03de170hv
- STMicroelectronics
- TRANS ESBT 1700V 3A TO247-4LHV Серия: ESBT® · Сфера применения: Gate Driver · Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar · Номинальное напряжение: 1700V (1.7kV) · Номинал тока: 3A · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STC03DE150
- stc03de150
- STMicroelectronics
- TRANS ESBT 1500V 3A TO-247-4L Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar · Номинальное напряжение: 1500V (1.5kV) · Номинал тока: 3A · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STC03DE170HP
- stc03de170hp
- STMicroelectronics
- TRANS ESBT 1700V 3A TO247-4LHP Серия: ESBT® · Сфера применения: Gate Driver · Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar · Номинальное напряжение: 1700V (1.7kV) · Номинал тока: 3A · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STC03DE170
- stc03de170
- STMicroelectronics
- TRANS ESBT 1700V 3A TO-247-4L Серия: ESBT® · Сфера применения: Gate Driver · Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar · Номинальное напряжение: 1700V (1.7kV) · Номинал тока: 3A · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMD9050D,115
- pmd9050d.115
- NXP Semiconductors
- IC MOSFET DRIVER SC-74 Сфера применения: MOSFET Driver · Тип транзистора: 2 NPN, PNP · Номинальное напряжение: 45V · Номинал тока: 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMD9003D,115
- pmd9003d.115
- NXP Semiconductors
- IC MOSFET DRIVER SC-74 Сфера применения: MOSFET Driver · Тип транзистора: 2 NPN (Totem Pole) · Номинальное напряжение: 50V NPN, 45V NPN · Номинал тока: 100mA NPN, 100mA NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMD9010D,115
- pmd9010d.115
- NXP Semiconductors
- IC MOSFET DRIVER SC-74 Сфера применения: MOSFET Driver · Тип транзистора: 2 NPN (Totem Pole) · Номинальное напряжение: 45V NPN, 45V NPN · Номинал тока: 100mA NPN, 100mA NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMD9002D,115
- pmd9002d.115
- NXP Semiconductors
- IC MOSFET DRIVER SC-74 Сфера применения: MOSFET Driver · Тип транзистора: 2 NPN (Totem Pole) · Номинальное напряжение: 50V NPN, 45V NPN · Номинал тока: 100mA NPN, 100mA NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMD9001D,115
- pmd9001d.115
- NXP Semiconductors
- IC MOSFET DRIVER SC-74 Сфера применения: MOSFET Driver · Тип транзистора: 2 NPN (Totem Pole) · Номинальное напряжение: 50V NPN, 45V NPN · Номинал тока: 100mA NPN, 100mA NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMD5003K,115
- pmd5003k.115
- NXP Semiconductors
- IC MOSFET DRIVER SC-59A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMD5002K,115
- pmd5002k.115
- NXP Semiconductors
- IC MOSFET DRIVER SC-59A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMD5001K,115
- pmd5001k.115
- NXP Semiconductors
- IC MOSFET DRIVER SC-59A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMD4003K,115
- pmd4003k.115
- NXP Semiconductors
- IC MOSFET DRIVER SC-59A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMD4002K,115
- pmd4002k.115
- NXP Semiconductors
- IC MOSFET DRIVER SC-59A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMD4001K,115
- pmd4001k.115
- NXP Semiconductors
- IC MOSFET DRIVER SC-59A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMD3001D,115
- pmd3001d.115
- NXP Semiconductors
- IC MOSFET DRIVER SC-74 Сфера применения: MOSFET Driver · Тип транзистора: NPN, PNP (Emitter Coupled) · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 1A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Транзисторы специального назначения — это полупроводниковые устройства, которые разрабатываются и оптимизируются для конкретных приложений или функций, отличающихся от стандартных операций усиления и переключения. Эти транзисторы могут иметь уникальные характеристики, такие как улучшенная радиационная стойкость, высокая температурная стабильность, способность работать на сверхвысоких частотах или в условиях высокой мощности.
Ключевые характеристики могут включать:
- радиационная стойкость. Способность выдерживать высокие уровни ионизирующего излучения без деградации;
- температурный диапазон. Расширенный диапазон рабочих температур, выходящий за стандартные пределы;
- частотные характеристики. Способность работать на сверхвысоких частотах, что критично для некоторых видов связи или радиочастотных приложений;
- мощность. Улучшенная способность управления высокими токами и напряжениями.
Применение транзисторов специального назначения
Такие транзисторы находят применение в различных областях, где требуются уникальные или улучшенные характеристики:
- аэрокосмическая промышленность. В спутниковых системах, космических аппаратах, где требуется радиационная стойкость и работа в широком температурном диапазоне;
- военная техника. В радарах, системах связи, где важны частотные характеристики и надежность в экстремальных условиях;
- промышленное оборудование. В силовой электронике, где требуются компоненты, способные управлять большими токами и напряжениями;
- телекоммуникации. В устройствах сверхвысокой частоты (СВЧ), где необходимы транзисторы, работающие на частотах в гигагерцовом диапазоне.
Интеграция и использование
При интеграции транзисторов специального назначения в электронные системы важно учитывать их уникальные характеристики и требования к рабочей среде. Также необходимо обеспечить адекватный теплоотвод и защиту от внешних воздействий для поддержания стабильности и надежности.
Проектирование с использованием таких транзисторов может требовать дополнительных тестов и проверок, чтобы гарантировать, что они соответствуют строгим требованиям приложений, для которых они предназначены. Учитывая их специализированное назначение, транзисторы специального назначения обеспечивают критически важные функции в системах, где стандартные компоненты не могут справиться с заданными требованиями.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК