Транзисторы - Специального назначения
Всего товаров: 164
PMD2001D,115
- pmd2001d.115
- NXP Semiconductors
- IC MOSFET DRIVER SC-74 Сфера применения: MOSFET Driver · Тип транзистора: NPN, PNP (Emitter Coupled) · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 600mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSTB1005DXV5T1G
- nstb1005dxv5t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553 Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Номинальное напряжение: 50V · Номинал тока: 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-553, SOT-5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSTB1005DXV5T1
- nstb1005dxv5t1
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553 Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Номинальное напряжение: 50V · Номинал тока: 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-553, SOT-5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NUS5530MNR2G
- nus5530mnr2g
- ON Semiconductor
- IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN Сфера применения: General Purpose · Тип транзистора: NPN, P-Channel · Номинальное напряжение: 35V PNP, 20V P-Channel · Номинал тока: 2A PNP, 3.9A P-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MLD1N06CLT4G
- mld1n06clt4g
- ON Semiconductor
- IC MOSFET POWER N-CH 1A 62V DPAK Серия: SMARTDISCRETES™ · Тип транзистора: NPN, N-Channel Gate-Drain, Source Clamp · Номинальное напряжение: 62V · Номинал тока: 1A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LMN400B01-7
- lmn400b01.7
- Diodes Inc
- MCU LOAD SWITCH 400MA SOT-26 Сфера применения: Load Switch · Тип транзистора: PNP Pre-Biased, N-Channel Pre-Biased · Номинальное напряжение: 50V PNP, 60V N-Channel · Номинал тока: 400mA PNP, 115mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LMN400E01-7
- lmn400e01.7
- Diodes Inc
- MCU LOAD SWITCH 400MA SOT-363 Сфера применения: Load Switch · Тип транзистора: PNP Pre-Biased, N-Channel Pre-Biased · Номинальное напряжение: 50V PNP, 60V N-Channel · Номинал тока: 400mA PNP, 115mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LMN200B01-7
- lmn200b01.7
- Diodes Inc
- MCU LOAD SWITCH 200MA SOT-26 Сфера применения: Load Switch · Тип транзистора: PNP Pre-Biased, N-Channel Pre-Biased · Номинальное напряжение: 50V PNP, 60V N-Channel · Номинал тока: 200mA PNP, 115mA N-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LMN200B02-7
- lmn200b02.7
- Diodes Inc
- MCU LOAD SWITCH 200MA SOT-363 Сфера применения: Load Switch · Тип транзистора: PNP Pre-Biased, N-Channel Pre-Biased · Номинальное напряжение: 50V PNP, 60V N-Channel · Номинал тока: 200mA PNP, 115mA N-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMF32T2R
- emf32t2r
- ROHM Semiconductor
- Transistors Switching (Resistor Biased) Complex Bipolar (Dtr+Mos)- -50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMC3DXV5T1G
- emc3dxv5t1g
- ON Semiconductor
- TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-553 Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Номинальное напряжение: 50V · Номинал тока: 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-553, SOT-5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMC3DXV5T5
- emc3dxv5t5
- ON Semiconductor
- TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-553 Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Номинальное напряжение: 50V · Номинал тока: 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-553, SOT-5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMC3DXV5T5G
- emc3dxv5t5g
- ON Semiconductor
- TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-553 Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Номинальное напряжение: 50V · Номинал тока: 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-553, SOT-5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMB54D0UDW-7
- dmb54d0udw.7
- Diodes Inc
- MOSFET NMOS+PNP TRANS SOT-363 Сфера применения: General Purpose · Тип транзистора: PNP, N-Channel · Номинальное напряжение: 45V PNP, 50V N-Channel · Номинал тока: 100mA PNP, 160mA N-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMB53D0UDW-7
- dmb53d0udw.7
- Diodes Inc
- MOSFET NMOS+NPN TRANS SOT-363 Сфера применения: General Purpose · Тип транзистора: NPN, N-Channel · Номинальное напряжение: 45V NPN, 50V N-Channel · Номинал тока: 100mA PNP, 160mA N-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMB54D0UV-7
- dmb54d0uv.7
- Diodes Inc
- MOSFET NMOS+PNP TRANS SOT-563 Сфера применения: General Purpose · Тип транзистора: PNP, N-Channel · Номинальное напряжение: 45V PNP, 50V N-Channel · Номинал тока: 100mA PNP, 160mA N-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMB53D0UV-7
- dmb53d0uv.7
- Diodes Inc
- MOSFET NMOS+NPN TRANS SOT-563 Сфера применения: General Purpose · Тип транзистора: NPN, N-Channel · Номинальное напряжение: 45V NPN, 50V N-Channel · Номинал тока: 100mA PNP, 160mA N-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CTA2P1N-7-F
- cta2p1n.7.f
- Diodes Inc
- TRANS ARRAY PNP/N-CH 40V SOT363 Сфера применения: General Purpose · Тип транзистора: PNP, N-Channel · Номинальное напряжение: 40V PNP, 60V N-Channel · Номинал тока: 600mA PNP, 115mA N-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Транзисторы специального назначения — это полупроводниковые устройства, которые разрабатываются и оптимизируются для конкретных приложений или функций, отличающихся от стандартных операций усиления и переключения. Эти транзисторы могут иметь уникальные характеристики, такие как улучшенная радиационная стойкость, высокая температурная стабильность, способность работать на сверхвысоких частотах или в условиях высокой мощности.
Ключевые характеристики могут включать:
- радиационная стойкость. Способность выдерживать высокие уровни ионизирующего излучения без деградации;
- температурный диапазон. Расширенный диапазон рабочих температур, выходящий за стандартные пределы;
- частотные характеристики. Способность работать на сверхвысоких частотах, что критично для некоторых видов связи или радиочастотных приложений;
- мощность. Улучшенная способность управления высокими токами и напряжениями.
Применение транзисторов специального назначения
Такие транзисторы находят применение в различных областях, где требуются уникальные или улучшенные характеристики:
- аэрокосмическая промышленность. В спутниковых системах, космических аппаратах, где требуется радиационная стойкость и работа в широком температурном диапазоне;
- военная техника. В радарах, системах связи, где важны частотные характеристики и надежность в экстремальных условиях;
- промышленное оборудование. В силовой электронике, где требуются компоненты, способные управлять большими токами и напряжениями;
- телекоммуникации. В устройствах сверхвысокой частоты (СВЧ), где необходимы транзисторы, работающие на частотах в гигагерцовом диапазоне.
Интеграция и использование
При интеграции транзисторов специального назначения в электронные системы важно учитывать их уникальные характеристики и требования к рабочей среде. Также необходимо обеспечить адекватный теплоотвод и защиту от внешних воздействий для поддержания стабильности и надежности.
Проектирование с использованием таких транзисторов может требовать дополнительных тестов и проверок, чтобы гарантировать, что они соответствуют строгим требованиям приложений, для которых они предназначены. Учитывая их специализированное назначение, транзисторы специального назначения обеспечивают критически важные функции в системах, где стандартные компоненты не могут справиться с заданными требованиями.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК