Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
UMIL100A
- umil100a
- GHZTECH [GHz Technology]
- 100 Watts, 28 Volts, Class AB Defcom 225 - 400 MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TPR400
- tpr400
- ETC [List of Unclassifed Manufacturers]
- 400 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1030 - 1090 MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MS2202
- ms2202
- ADPOW [Advanced Power Technology]
- RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1JTDB75
- jtdb75
- ETC [List of Unclassifed Manufacturers]
- 75 Watts, 36 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1JTDB25
- jtdb25
- ETC [List of Unclassifed Manufacturers]
- 25 Watts, 36 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DME500
- dme500
- ETC [List of Unclassifed Manufacturers]
- 500WATTS - 50 VOLTS 1025/1150 MHZ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1UTV040
- utv040
- GHZTECH [GHz Technology]
- 4 Watts, 25 Volts, Class A UHF Television - Band IV & V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1UTV010
- utv010
- GHZTECH [GHz Technology]
- 1 Watt, 20 Volts, Class A UHF Television - Band IV & V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MRF581G
- mrf581g
- Microsemi-PPG
- TRANS NPN 18V 200MA MACRO X Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz · Усиление: 13dB ~ 15.5dB · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MRF581A
- mrf581a
- Microsemi-PPG
- TRANS NPN 15V 200MA MACRO X Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz · Усиление: 13dB ~ 15.5dB · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MRF553G
- mrf553g
- Microsemi-PPG
- TRANS NPN 16V 500MA POWERMACRO Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 11.5dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 3Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V · Ток коллектора (макс): 500mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MPSH17_D75Z
- mpsh17.d75z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS NPN 15V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MPSH17_D27Z
- mpsh17.d27z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS NPN 15V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MPSH17_D26Z
- mpsh17.d26z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS NPN 15V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MCH4009-TL-E
- mch4009.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 120mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1HFA3128RZ96
- hfa3128rz96
- Intersil
- IC TRANSISTOR ARRAY PNP 16-QFN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 5 PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1HFA3128BZ96
- hfa3128bz96
- Intersil
- IC TRANSISTOR ARRAY PNP 16-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 5 PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1HFA3127RZ96
- hfa3127rz96
- Intersil
- IC TRANS ARRAY 5X NPN 16-QFN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 5 NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1CPH6071-TL-E
- cph6071.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS PNP/NPN 20V 0.3MA CPH6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 2.2GHz · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип транзистора: NPN, PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1CPH6006-TL-E
- cph6006.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS NPN 20V 300MA CPH6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 2.2GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс): 300mA · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК