Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Высокочастотные биполярные транзисторы

Всего товаров: 1247

UMIL100A

  • umil100a
  • GHZTECH [GHz Technology]
  • 100 Watts, 28 Volts, Class AB Defcom 225 - 400 MHz

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

TPR400

  • tpr400
  • ETC [List of Unclassifed Manufacturers]
  • 400 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1030 - 1090 MHz

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MS2202

  • ms2202
  • ADPOW [Advanced Power Technology]
  • RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

JTDB75

  • jtdb75
  • ETC [List of Unclassifed Manufacturers]
  • 75 Watts, 36 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

JTDB25

  • jtdb25
  • ETC [List of Unclassifed Manufacturers]
  • 25 Watts, 36 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DME500

  • dme500
  • ETC [List of Unclassifed Manufacturers]
  • 500WATTS - 50 VOLTS 1025/1150 MHZ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UTV040

  • utv040
  • GHZTECH [GHz Technology]
  • 4 Watts, 25 Volts, Class A UHF Television - Band IV & V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UTV010

  • utv010
  • GHZTECH [GHz Technology]
  • 1 Watt, 20 Volts, Class A UHF Television - Band IV & V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MRF581G

  • mrf581g
  • Microsemi-PPG
  • TRANS NPN 18V 200MA MACRO X Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz · Усиление: 13dB ~ 15.5dB · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояно

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MRF581A

  • mrf581a
  • Microsemi-PPG
  • TRANS NPN 15V 200MA MACRO X Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz · Усиление: 13dB ~ 15.5dB · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояно

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MRF553G

  • mrf553g
  • Microsemi-PPG
  • TRANS NPN 16V 500MA POWERMACRO Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 11.5dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 3Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V · Ток коллектора (макс): 500mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MPSH17_D75Z

  • mpsh17.d75z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS NPN 15V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MPSH17_D27Z

  • mpsh17.d27z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS NPN 15V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MPSH17_D26Z

  • mpsh17.d26z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS NPN 15V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MCH4009-TL-E

  • mch4009.tl.e
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 120mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HFA3128RZ96

  • hfa3128rz96
  • Intersil
  • IC TRANSISTOR ARRAY PNP 16-QFN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 5 PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HFA3128BZ96

  • hfa3128bz96
  • Intersil
  • IC TRANSISTOR ARRAY PNP 16-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 5 PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

HFA3127RZ96

  • hfa3127rz96
  • Intersil
  • IC TRANS ARRAY 5X NPN 16-QFN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 5 NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CPH6071-TL-E

  • cph6071.tl.e
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • TRANS PNP/NPN 20V 0.3MA CPH6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 2.2GHz · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип транзистора: NPN, PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CPH6006-TL-E

  • cph6006.tl.e
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • TRANS NPN 20V 300MA CPH6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 2.2GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс): 300mA · Ти

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.

Применение

Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
  • Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
  • Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
  • Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
  • Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
  • Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
  • Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.

Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.

Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.

Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь