Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
CPH6005-TL-E
- cph6005.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS PNP 20V 300MA CPH6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 1.5GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс): 300mA · Тип
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS3135-50,114
- bls3135.50.114
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER SOT422A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.5GHz · Усиление: 8dB · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V · Ток коллектора
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS2731-10,114
- bls2731.10.114
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER SOT445C Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.1GHz · Усиление: 10dB · Мощность макcимальная: 145Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 5V · Ток коллект
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BGB 540 E6327
- bgb.540.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Усиление: 17.5dB · Мощность макcимальная: 120mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS 481 E6327
- bfs.481.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усил
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 949T E6327
- bfr.949t.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF BIP SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 93A E6327
- bfr.93a.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 14.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усил
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 380T E6327
- bfr.380t.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 6V SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 12.5dB ~ 8.5dB · Мощность макcимальная: 380mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного ток
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 360T E6327
- bfr.360t.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 6V SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 360F E6765
- bfr.360f.e6765
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 6V TSFP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 35AP E6327
- bfr.35ap.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усилени
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 340L3 E6327
- bfr.340l3.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 6V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz · Усиление: 17.5dB · Мощность макcимальная: 60mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 183 E6327
- bfr.183.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 17.5dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление по
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 640 E6327
- bfp.640.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN SIGE RF SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 40GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 24dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пост
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 620 E7764
- bfp.620.e7764
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 2.3V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.3V · Модуляция частот: 65GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 185mW · Тип транзистора: NPN · Усиление п
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 540F E6327
- bfp.540f.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 30GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 540 E6327
- bfp.540.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 30GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 420F E6327
- bfp.420f.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 19.5dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 405 E6433
- bfp.405.e6433
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz · Усиление: 23dB · Мощность макcимальная: 55mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (h
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 196 E6327
- bfp.196.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16.5dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип транзистора: NPN ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК