Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
BFP 193W E6327
- bfp.193w.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 20.5dB ~ 13.5dB · Мощность макcимальная: 580mW · Тип транзистора: NPN · Усил
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 193 E6327
- bfp.193.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 18dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 580mW · Тип транзистора: NPN · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 183W E6327
- bfp.183w.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление пос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 182W E6327
- bfp.182w.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пост
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG 196 E6327
- bfg.196.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 14.5dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 800мВт · Тип транзистора: NPN · Ус
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG 135A E6327
- bfg.135a.e6327
- Infineon Technologies
- TRANS NPN RF 15V 150MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 799W E6327
- bf.799w.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 20V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 1.1GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 799 E6327
- bf.799.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 20V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 1.1GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 775 E6327
- bf.775.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усилени
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 771 E6327
- bf.771.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 15dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 580mW · Тип транзистора: NPN · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 770A E6327
- bf.770a.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 14.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усил
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF240_J35Z
- bf240.j35z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS RF NPN 40V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 1.1GHz · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Ко
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-41500-GP4
- at.41500.gp4
- Avago Technologies US Inc.
- IC TRANS NPN GP BIPOLAR 86PP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 17dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление пост
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
4MP10CH-TL-E
- 4mp10ch.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS PNP 200V 100MA CPH3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В · Модуляция частот: 400MHz · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
4MN10CH-TL-E
- 4mn10ch.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS NPN 200V 100MA CPH3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В · Модуляция частот: 400MHz · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
3MN03SF-TL-E
- 3mn03sf.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS NPN 20V 30MA SSFP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 320MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC6024-TL-E
- 2sc6024.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS NPN 3.5V 35MA SSFP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.5V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 120mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC6023-TR-E
- 2sc6023.tr.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS NPN 3.5V 35MA MCP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.5V · Модуляция частот: 14.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 120mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC5632G0L
- 2sc5632g0l
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 8V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 4V · Ток коллектора (макс): 50mA ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4562GRL
- 2sc4562grl
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 50VCEO 50MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК