Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
NE52418-A
- ne52418.a
- NEC
- IC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 14dB ~ 16dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE461M02-T1-AZ
- ne461m02.t1.az
- NEC
- TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V · Ток к
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE461M02-AZ
- ne461m02.az
- NEC
- TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V · Ток к
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE46134-T1-AZ
- ne46134.t1.az
- NEC
- TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE46134-AZ
- ne46134.az
- NEC
- TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE46134-T1
- ne46134.t1
- NEC
- TRANS NPN 1GHZ SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 500MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MZ0912B100Y,114
- mz0912b100y.114
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR POWER NPN SOT439A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 1.215GHz · Усиление: 7.6dB · Мощность макcимальная: 290Вт · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 6A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MZ0912B50Y,114
- mz0912b50y.114
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR POWER NPN SOT443A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 1.215GHz · Усиление: 8dB · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 3A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MX0912B351Y,114
- mx0912b351y.114
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR POWER NPN SOT439A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 1.215GHz · Усиление: 7.6dB · Мощность макcимальная: 960W · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 21A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSD2714AT1G
- msd2714at1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN VHF/UHF BIPO 25V SC-59 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V · Тип монтажа: Поверхностны
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSC3930-BT1
- msc3930.bt1
- ON Semiconductor
- TRANS NPN RF BIPO 20V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSC3930-BT1G
- msc3930.bt1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN RF BIPO 20V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSC2295-CT1G
- msc2295.ct1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSC2295-CT1
- msc2295.ct1
- ON Semiconductor
- TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSC2295-BT1G
- msc2295.bt1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MS2215
- ms2215
- MICROSEMI
- M216/RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND AVIONICS APPLICATIONS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MS2212
- ms2212
- MICROSEMI
- M222BIPOLAR/LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MS2209
- ms2209
- MICROSEMI
- M218/RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MS2210
- ms2210
- MICROSEMI
- M216/BIPOLAR/LDMOS TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК