Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
MS1579
- ms1579
- TriQuint Semiconductor
- РЧ-усилитель RF Bipolar Trans
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MS1512
- ms1512
- TriQuint Semiconductor
- РЧ-усилитель RF Bipolar Trans
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MS1227
- ms1227
- TriQuint Semiconductor
- РЧ-усилитель RF Bipolar Trans
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MS1226
- ms1226
- TriQuint Semiconductor
- РЧ-усилитель RF Bipolar Trans
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MS1076
- ms1076
- TriQuint Semiconductor
- РЧ-усилитель RF Bipolar Trans
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MS1051
- ms1051
- TriQuint Semiconductor
- РЧ-усилитель RF Bipolar Trans
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MS1003
- ms1003
- TriQuint Semiconductor
- РЧ-усилитель RF Bipolar Trans
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF904
- mrf904
- Microsemi-PPG
- TRANS NPN 15V 30MA TO-72 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 4GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 450MHz · Усиление: 9.5dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF5812GR1
- mrf5812gr1
- Microsemi-PPG
- TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF581
- mrf581
- Microsemi-PPG
- TRANS NPN 18V 200MA MACRO X Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz · Усиление: 13dB ~ 15.5dB · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF559G
- mrf559g
- Microsemi-PPG
- TRANS NPN 16V 150MA MACRO X Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 8dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V · Ток коллектора (макс): 150mA · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF555T
- mrf555t
- Microsemi-PPG
- TRANS NPN 16V 500MA POWERMACRO Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 11dB ~ 12.5dB · Мощность макcимальная: 3Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V · Ток коллектора (макс): 500mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF555
- mrf555
- Microsemi-PPG
- TRANS NPN 16V 500MA POWERMACRO Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 11dB ~ 12.5dB · Мощность макcимальная: 3Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V · Ток коллектора (макс): 500mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF544
- mrf544
- Microsemi-PPG
- TRANS NPN 70V 400MA TO-39 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 70V · Модуляция частот: 1.5GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 3.5W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50mA, 6V · Ток коллектор
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF454
- mrf454
- M/A-COM Technology Solutions
- РЧ-транзисторы, биполярные 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF455
- mrf455
- M/A-COM Technology Solutions
- РЧ-транзисторы, биполярные 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК