Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
FMMT5179TC
- fmmt5179tc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR RF NPN SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Mi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EC4H09C-TL-H
- ec4h09c.tl.h
- ON Semiconductor
- РЧ-транзисторы, биполярные SWITCHING DEVICE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EC4H08C-TL-H
- ec4h08c.tl.h
- ON Semiconductor
- РЧ-транзисторы, биполярные 1.8V DRIVE SERIES
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CA3127MZ
- ca3127mz
- Intersil
- TRANSISTOR ARRAY NPN 16-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.15GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.2dB @ 100KHz · Усиление: 27dB ~ 30dB · Мощность макcимальная: 85mW · Тип транзистора: 5 NPN · Ток коллектора (макс
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CA3127M
- ca3127m
- Intersil
- TRANSISTOR ARRAY NPN 16-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLW96/01,112
- blw96.01.112
- NXP Semiconductors
- РЧ-транзисторы, биполярные Dual N-CH 340W 10mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLT81,115
- blt81.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 9.5V 500MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 9.5V · Модуляция частот: 900MHz · Усиление: 6.5dB · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V · Ток коллект
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLT80,115
- blt80.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 10V 250MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 900MHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 150mA, 5V · Ток коллектора (макс): 250mA ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLT70,115
- blt70.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 8V 250MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 8V · Модуляция частот: 900MHz · Мощность макcимальная: 2.1W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 4.8V · Ток коллектора (макс): 250mA ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLT50,115
- blt50.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 7.5V SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 470MHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V · Ток коллектора (макс): 500mA · Тип м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS3135-65,114
- bls3135.65.114
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER SOT422A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.5GHz · Усиление: 7dB · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 5V · Ток коллектора
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS3135-20,114
- bls3135.20.114
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER SOT422A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.5GHz · Усиление: 8dB · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V · Ток коллектора
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS3135-10,114
- bls3135.10.114
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER SOT445C Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.5GHz · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 34Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 5V · Ток коллектор
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS2731-50,114
- bls2731.50.114
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER SOT422A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.1GHz · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V · Ток коллектора
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS2731-20,114
- bls2731.20.114
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER SOT445C Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.1GHz · Усиление: 10dB · Мощность макcимальная: 270Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V · Ток коллект
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLS2731-110,114
- bls2731.110.114
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF POWER SOT423A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Модуляция частот: 3.1GHz · Усиление: 7dB · Мощность макcимальная: 500W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 5V · Ток коллектора (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BGR 420 H6327
- bgr.420.h6327
- INFINEON
- РЧ-транзисторы, биполярные RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BGR 405 H6327
- bgr.405.h6327
- INFINEON
- РЧ-транзисторы, биполярные RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК