Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
BFY193 (P)
- bfy193.p
- Infineon
- HIREL NPN SILICON TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFU760F,115
- bfu760f.115
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFU730F,115
- bfu730f.115
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFU790F,115
- bfu790f.115
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFU725F/N1,115
- bfu725f.n1.115
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFU725F,115
- bfu725f.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 20GHZ SOT343F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.2V · Модуляция частот: 68GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.67dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz · Усиление: 13dB ~ 8.5dB · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 40mA · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFU710F,115
- bfu710f.115
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFU690F,115
- bfu690f.115
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 18GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFU660F,115
- bfu660f.115
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 21GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFU610F,115
- bfu610f.115
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 15GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFU630F,115
- bfu630f.115
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 21GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFT93W,115
- bft93w.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 12V 50MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFT93,215
- bft93.215
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 12V 5GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.4dB @ 500MHz · Усиление: 16.5dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFT92E6327
- bft92e6327
- Infineon Technologies
- TRANS PNP RF 15V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: PNP · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFT92W,115
- bft92w.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 4GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.5dB @ 500MHz · Усиление: 17dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFT92,215
- bft92.215
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 25MA 15V 5GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.5dB @ 500MHz · Усиление: 18dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFT25,215
- bft25.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 5V 6.5MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 2.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.8dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 30mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFT25A,215
- bft25a.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 32mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS540,115
- bfs540.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 15V 120MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.7dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS505,115
- bfs505.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.7dB @ 900MHz · Усиление: 17dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК