Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
BFS520,115
- bfs520.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 70MA 15V 9GHZ SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 900MHz · Усиление: 13dB ~ 14dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление посто
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS520,135
- bfs520.135
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 15V 70mA 300mW 60 9GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS 483 H6327
- bfs.483.h6327
- INFINEON
- РЧ-транзисторы, биполярные RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS 483 E6327
- bfs.483.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 19dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Уси
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS 481 H6327
- bfs.481.h6327
- INFINEON
- Transistors RF bipolaires de puissance RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS 460L6 E6327
- bfs.460l6.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 22GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 14.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dua
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS 386L6 E6327
- bfs.386l6.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR ARRAY DUAL NPN TSLP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Усиление: 14.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 210mW, 380mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Ток коллектора (макс): 35mA, 80mA · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS 466L6 E6327
- bfs.466l6.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V, 6V · Модуляция частот: 22GHz, 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 14.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 200mW, 210mW · Тип транз
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS 469L6 E6327
- bfs.469l6.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V, 10V · Мощность макcимальная: 200mW, 250mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Ток коллектора (макс): 50mA, 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-6-1 · Compr
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS 380L6 E6327
- bfs.380l6.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR GP BJT NPN 6V TSLP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 12dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 380mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS25A,115
- bfs25a.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 5V 6.5MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 32mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS 17W H6327
- bfs.17w.h6327
- INFINEON
- РЧ-транзисторы, биполярные RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS17W,135
- bfs17w.135
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 15V 50mA 300mW 25 1.6GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS17W,115
- bfs17w.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 15V 1GHZ SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS 17P E6433
- bfs.17p.e6433
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 2.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ I
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS 17S H6327
- bfs.17s.h6327
- INFINEON
- РЧ-транзисторы, биполярные RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS17TA
- bfs17ta
- Diodes/Zetex
- TRANS RF NPN 1300MHZ SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS 17P E6327
- bfs.17p.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 2.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ I
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS17SE6327
- bfs17se6327
- Infineon Technologies
- DUAL NPN TRANS RADIO FREQ BROAD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 2.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS17HTC
- bfs17htc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR RF NPN SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК