Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
BFP 193W H6327
- bfp.193w.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 196W E6327
- bfp.196w.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 19dB ~ 12.5dB · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип транзистора: NPN · У
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 196R E6327
- bfp.196r.e6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTORS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 196R E6501
- bfp.196r.e6501
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16.5dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип транзистора: NPN ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 183W H6327
- bfp.183w.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 183 E7764
- bfp.183.e7764
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пост
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 182W H6327
- bfp.182w.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 182R E7764
- bfp.182r.e7764
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 182 E7764
- bfp.182.e7764
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пост
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFM505,115
- bfm505.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN DUAL 8V 9GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 8V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz · Усиление: 17dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного ток
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFM520,115
- bfm520.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN DUAL 70MA 8V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 8V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.6dB @ 900MHz · Усиление: 13dB ~ 14.5dB · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усилени
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG97,115
- bfg97.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Усиление: 16dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V · Ток ко
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG97,135
- bfg97.135
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 15V 100mA 1W 25 5.5GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG94,115
- bfg94.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 10V 60MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz · Усиление: 11.5dB ~ 13.5dB · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG93A/X,215
- bfg93a.x.215
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 12V 35mA 300mW 40 6GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG92A/X,215
- bfg92a.x.215
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 15V 25mA 400mW 65 5GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG93A,215
- bfg93a.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 12V 35MA SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB @ 1GHz · Усиление: 16dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG67/X,215
- bfg67.x.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 17dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG67,235
- bfg67.235
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 10V 50mA 380mW 60 8GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG67,215
- bfg67.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 17dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК