Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
BFP 650F E6327
- bfp.650f.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 42GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21.5dB ~ 11dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Уси
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP650
- bfp650
- Infineon Technologies
- TRANS NPN RF 4V 150MA SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 37GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21.5dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Уси
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 640 H6433
- bfp.640.h6433
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 640 H6327
- bfp.640.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 640F H6327
- bfp.640f.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 640FESD H6327
- bfp.640fesd.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BI
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 640FESD E6327
- bfp.640fesd.e6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTORS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 620 H7764
- bfp.620.h7764
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 540 H6327
- bfp.540.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 620F H7764
- bfp.620f.h7764
- INFINEON
- РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 620F E7764
- bfp.620f.e7764
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 2.3V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.3V · Модуляция частот: 65GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21dB · Мощность макcимальная: 185mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пост
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP520E6327
- bfp520e6327
- Infineon Technologies
- TRANS NPN RF 2.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.5V · Модуляция частот: 45GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz · Усиление: 23.5dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 520F H6327
- bfp.520f.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 540ESD H6327
- bfp.540esd.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 540ESD E6327
- bfp.540esd.e6327
- Infineon Technologies
- TRANS RF NPN 4.5V ESD SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 30GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояног
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 540FESD H6327
- bfp.540fesd.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP540FESDE6327
- bfp540fesde6327
- Infineon Technologies
- TRANS RF NPN 4.5V 80MA TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 30GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 460 E6433
- bfp.460.e6433
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN Silicon RF Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 520 H6327
- bfp.520.h6327
- INFINEON
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала RF BIP TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFP 520F E6327
- bfp.520f.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.5V · Модуляция частот: 45GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz · Усиление: 22.5dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК