Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
BFG505,215
- bfg505.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 6V 18MA SOT343N Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz · Усиление: 16dB ~ 17dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG480W,135
- bfg480w.135
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 4.5V 250mA 360mW 40 21GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG480W,115
- bfg480w.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 21GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 360mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG425W,115
- bfg425w.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT-343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 135mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG425W,135
- bfg425w.135
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 4.5V 25mA 135mW 50 25GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG424W,115
- bfg424w.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 10V 30MA SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Усиление: 18dB · Мощность макcимальная: 135mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG410W,135
- bfg410w.135
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 4.5V 10mA 54mW 50 22GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG424F,115
- bfg424f.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Усиление: 23dB · Мощность макcимальная: 135mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG403W,115
- bfg403w.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 4.5V 17GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 17GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 900MHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 16mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG410W,115
- bfg410w.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 4.5V 22GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 22GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Усиление: 21dB · Мощность макcимальная: 54mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG35,115
- bfg35.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 10V 150MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Модуляция частот: 4GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V · Ток коллектора (макс): 150mA · Т
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG325W/XR,115
- bfg325w.xr.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz · Усиление: 18.3dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG325/XR,215
- bfg325.xr.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz · Усиление: 18.3dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG31,115
- bfg31.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 10V 5GHZ SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG310/XR,215
- bfg310.xr.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 4.5V 18GHZ SOT143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz · Усиление: 18.3dB · Мощность макcимальная: 60mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Mi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG25A/X,215
- bfg25a.x.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 18dB · Мощность макcимальная: 32mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG310W/XR,115
- bfg310w.xr.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 6V 10MA 14GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz · Усиление: 18.3dB · Мощность макcимальная: 60mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG25AW/X,115
- bfg25aw.x.115
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 5V 6.5mA 500mW 50 5GHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG21W,115
- bfg21w.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 15V .5A 18GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.9GHz · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 2V · Ток коллектора (макс): 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFG198,115
- bfg198.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК