Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
BF199_J35Z
- bf199.j35z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS RF NPN 25V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF199_D74Z
- bf199.d74z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS RF NPN 25V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF199
- bf199
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR RF NPN 25V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V · Ток коллектора (макс): 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-64023
- at.64023
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 20V 200MA 230-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 4GHz · Мощность макcимальная: 3Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V · Ток коллектора (макс): 200m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-64020
- at.64020
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 20V 200MA 200-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Мощность макcимальная: 3Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V · Ток коллектора (макс): 200mA · Тип монтажа: Поверхно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-42086-TR2G
- at.42086.tr2g
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-41486-TR2G
- at.41486.tr2g
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 12V 60MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 17dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление по
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-42086-TR1G
- at.42086.tr1g
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-42085G
- at.42085g
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 12V 80MA 45MD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-42086-BLKG
- at.42086.blkg
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-42070
- at.42070
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 12V 80MA 70-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 14dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-42036-TR1G
- at.42036.tr1g
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 12V 80MA 36-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление по
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-42036-BLKG
- at.42036.blkg
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 12V 80MA 36-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление по
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-42035G
- at.42035g
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 12V 80MA 35-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление по
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-42010
- at.42010
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 12V 80MA 100-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-41586-TR1G
- at.41586.tr1g
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 12V 60MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 17dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление по
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-41586-TR2G
- at.41586.tr2g
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS NPN BIPO 12V 60MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 17dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление по
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-41486-BLKG
- at.41486.blkg
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS SIL LOW NOISE BIPOL 45MD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz · Усиление: 18dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постоян
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AT-41486-BLK
- at.41486.blk
- Avago Technologies US Inc.
- TRANS SIL LOW NOISE BIPOLAR 86PL Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 17dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК