Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BF 2030W H6824
- bf.2030w.h6824
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 2030W E6814
- bf.2030w.e6814
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 2030 E6814
- bf.2030.e6814
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 2030R E6814
- bf.2030r.e6814
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1214,115
- bf1214.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH DUAL GATE 6V UMT6 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 31dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 18mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1216,115
- bf1216.115
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Dual N-Channel 6V 30mA 180mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1215,115
- bf1215.115
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Dual N-Channel 6V 30mA 180mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1212WR,115
- bf1212wr.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 30dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 12mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: CMPAK-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1218,115
- bf1218.115
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Dual N-Channel 6V 30mA 180mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1212R,215
- bf1212r.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 30dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 12mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-61B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1212,215
- bf1212.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 30dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 12mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1211,215
- bf1211.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 29dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1211WR,115
- bf1211wr.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 29dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: CMPAK-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1211R,215
- bf1211r.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 29dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-61B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1210,115
- bf1210.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH DUAL GATE 6V UMT6 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 31dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 19mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1208D,115
- bf1208d.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH DUAL GATE SSMINI-6 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 32dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 19mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SS Mini-6 (SOT-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1208,115
- bf1208.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH DUAL GATE SSMINI-6 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 32dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 19mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SS Mini-6 (SOT-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1207,115
- bf1207.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH DUAL GATE 6V UMT6 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 30dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 18mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1205C,115
- bf1205c.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH DUAL GATE 10V SOT363 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 30dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 19mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF1206,115
- bf1206.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT363 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 30dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 18mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК