Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Высокочастотные полевые транзисторы

Всего товаров: 2232

BF 5030W E6327

  • bf.5030w.e6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 24dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 3V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF 5020W H6327

  • bf.5020w.h6327
  • INFINEON
  • РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF 5020W E6327

  • bf.5020w.e6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 26dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.2dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF 5020R E6327

  • bf.5020r.e6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 26dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.2dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143R

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF 5020 E6327

  • bf.5020.e6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 26dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.2dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF256AG

  • bf256ag
  • ON Semiconductor
  • TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 800MHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 7mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF256C_J35Z

  • bf256c.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V 10MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 18mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF256B

  • bf256b
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 13mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF256C

  • bf256c
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 18mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF256A

  • bf256a
  • ON Semiconductor
  • TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 800MHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 7mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF256B_J35Z

  • bf256b.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V 10MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 13mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245C_J35Z

  • bf245c.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V 10MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 25mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245C_D75Z

  • bf245c.d75z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 25mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245C_D74Z

  • bf245c.d74z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 25mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245C_D27Z

  • bf245c.d27z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 25mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245C_D26Z

  • bf245c.d26z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 25mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245C,112

  • bf245c.112
  • NXP Semiconductors
  • JFET N-CH 30V 25MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245C

  • bf245c
  • Fairchild Semiconductor, NXP
  • IC AMP RF NCH 30V 10MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 25mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245B_D74Z

  • bf245b.d74z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 15mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245B

  • bf245b
  • Fairchild Semiconductor, NXP
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 15mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.

Применение

Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.

Основные сферы их применения включают:

  • Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
  • Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
  • Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
  • Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
  • Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
  • Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
  • Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.

Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.

Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь