Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Высокочастотные полевые транзисторы

Всего товаров: 2232

BF245B_D75Z

  • bf245b.d75z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 15mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245B,126

  • bf245b.126
  • NXP Semiconductors
  • JFET N-CH 30V 25MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245B_D27Z

  • bf245b.d27z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 15mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245B_J35Z

  • bf245b.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V 10MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 15mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245B,112

  • bf245b.112
  • NXP Semiconductors
  • JFET N-CH 30V 25MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245A_J35Z

  • bf245a.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V 10MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 6.5mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF244C

  • bf244c
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 50mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245A_D27Z

  • bf245a.d27z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 6.5mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245A,112

  • bf245a.112
  • NXP Semiconductors
  • JFET N-CH 30V 25MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245A,126

  • bf245a.126
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом N-Channel Single '+/- 30V 25mA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF244C_J35Z

  • bf244c.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V 50MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 50mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245A_D75Z

  • bf245a.d75z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 6.5mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF245A

  • bf245a
  • Fairchild Semiconductor, Fairchild
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 6.5mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF244B_J35Z

  • bf244b.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V 50MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 50mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF244B

  • bf244b
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 50mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF244A

  • bf244a
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 50mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF244A_J35Z

  • bf244a.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CH 30V 50MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 50mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF 2040W E6814

  • bf.2040w.e6814
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.6dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF 2040W H6814

  • bf.2040w.h6814
  • INFINEON
  • РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BF 2030W H6814

  • bf.2030w.h6814
  • INFINEON
  • РЧ транзисторы, МОП-структура RF MOSFETS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.

Применение

Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.

Основные сферы их применения включают:

  • Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
  • Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
  • Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
  • Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
  • Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
  • Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
  • Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.

Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.

Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь